"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние геометрии образцов на вольт-амперную характеристику p-n-перехода в сильном СВЧ поле
Гулямов Г.1, Хамидова Б.1
1Намаганский индустриально-технологический институт, Намаган, Узбекистан
Поступила в редакцию: 10 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Исследовано влияние геометрии образца на вольт-амперную характеристику p-n-перехода в сильном СВЧ поле. Показано, что учет реальной геометрии образца и искажения волны в диоде позволяет объяснить аномально большие значения эдс и тока короткого замыкания, а учет сопротивления базы диода - большие значения коэффициента неидеальности.
  1. Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
  2. Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 26, 1041 (1992)
  3. А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)
  4. Г. Гулямов, К.Б. Умаров. ФТП, 28, 686 (1994)
  5. С.Х. Шемирзаев, Г. Абдурахманов. \it Электромагнитные взаимодействия в электронно-дырочной плазме (Ташкент, 1977), гл. III

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.