"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние геометрии образцов на вольт-амперную характеристику p-n-перехода в сильном СВЧ поле
Гулямов Г.1, Хамидова Б.1
1Намаганский индустриально-технологический институт, Намаган, Узбекистан
Поступила в редакцию: 10 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Исследовано влияние геометрии образца на вольт-амперную характеристику p-n-перехода в сильном СВЧ поле. Показано, что учет реальной геометрии образца и искажения волны в диоде позволяет объяснить аномально большие значения эдс и тока короткого замыкания, а учет сопротивления базы диода --- большие значения коэффициента неидеальности.
  • Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
  • Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 26, 1041 (1992)
  • А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)
  • Г. Гулямов, К.Б. Умаров. ФТП, 28, 686 (1994)
  • С.Х. Шемирзаев, Г. Абдурахманов. \it Электромагнитные взаимодействия в электронно-дырочной плазме (Ташкент, 1977), гл. III
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.