"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спиновое упорядочение электронов, локализованных на глубоких донорах в многодолинных полупроводниках
Аверкиев Н.С.1, Ильинский С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Рассчитаны энергетическая структура, характер спинового упорядочения и величина обменного взаимодействия носителей заряда, локализованых на одном или двух донорных центрах в полупроводниках с многодолинной зонной структурой типа Ge или Si в рамках метода потенциалов нулевого радиуса. Показано, что в этих случаях полный спин электронов в основном состоянии равен нулю. Вычислена зависимость энергии уровней от ориентации оси, соединяющей центры, по отношению к главному направлению тензора эффективной массы, а также зависимости расщепления энергетических уровней от расстояния между дефектами.
  1. Н.С. Аверкиев, С.Ю. Ильинский. ФТТ, 36, 503 (1994)
  2. С.В. Гастев, Э.З. Иманов, Н.С. Соколов, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 90, 1830 (1986)
  3. Ю.Н. Демков, В.Н. Островский. \it Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике (Л., Изд-во ЛГУ, 1975)
  4. Н.С. Аверкиев, Ю.Т. Ребане, И.Н. Яссиевич. ФТП, 19, 96 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.