Вышедшие номера
Спиновое упорядочение электронов, локализованных на глубоких донорах в многодолинных полупроводниках
Аверкиев Н.С.1, Ильинский С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Рассчитаны энергетическая структура, характер спинового упорядочения и величина обменного взаимодействия носителей заряда, локализованых на одном или двух донорных центрах в полупроводниках с многодолинной зонной структурой типа Ge или Si в рамках метода потенциалов нулевого радиуса. Показано, что в этих случаях полный спин электронов в основном состоянии равен нулю. Вычислена зависимость энергии уровней от ориентации оси, соединяющей центры, по отношению к главному направлению тензора эффективной массы, а также зависимости расщепления энергетических уровней от расстояния между дефектами.