Рассчитаны энергетическая структура, характер спинового упорядочения и величина обменного взаимодействия носителей заряда, локализованых на одном или двух донорных центрах в полупроводниках с многодолинной зонной структурой типа Ge или Si в рамках метода потенциалов нулевого радиуса. Показано, что в этих случаях полный спин электронов в основном состоянии равен нулю. Вычислена зависимость энергии уровней от ориентации оси, соединяющей центры, по отношению к главному направлению тензора эффективной массы, а также зависимости расщепления энергетических уровней от расстояния между дефектами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.