Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием

Александров О.В.¹, Соболев Н.А.¹, Шек Е.И.¹, Меркулов А.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 7 июля 1995 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

PDF версия

Изучено влияние температуры, времени и атмосферы отжига на образование донорных центров в кремнии, имплантированном ионами эрбия с энергией 1 МэВ и дозой 1· 10¹³ см^-2. Наблюдавшиеся зависимости концентрации образующихся донорных центров, коэффициента активации и толщины n-слоя от условий отжига свидетельствуют, что в образовании донорных центров кроме атомов эрбия участвуют собственные точечные дефекты, образующиеся во время отжига имплантированного слоя при температурах 400/ 1200^oС.

F. Widdershoven, J.P.M. Naus. Mater. Sci. Eng. B, 4, 71 (1989)
J.L. Benton, J. Michel, L.C. Kimerling. D.S. Jacobson, Y.-H. Xie, D.S. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, J.M. Poate. J. Appl. Phys., 70, 2667 (1991)
F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, A. Carnera, V. Bellani. J. Appl. Phys., 74, 4936 (1993)
А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. \it Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (Минск, Изд-во БГУ, 1980)
J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.S. Jacobson, D.S. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 70, 2672 (1991)
\it Технология СБИС, под ред. Ю.Д. Чистякова (М., Мир, 1986) кн. 1, 2
F.Y.G. Ren, J. Michel, Q. Sun-Paduano, B. Zheng, H. Kitagawa, D.S. Jacobson, J.M. Poate, L.C. Kimerling. MRS Symp. Proc., 301, 87 (1993)
D. Moutonnet, H.L. Haridon, P.N. Favennec, M. Salvi, M. Gauneau, F. Arnaud, D. Avitaya, J. Chroboczek. Mater. Sci. Eng. B, 4, 75 (1989)
Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
Н.А. Соболев, М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Е.И. Шек, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин. ФТП, 28, 1995 (1994)
P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
A.I. Kurbakov, N.A. Sobolev. Mater. Sci. Eng., B, 22, 149 (1994)
О.В. Александров, В.В. Емцев, Д.С. Полоскин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек. ФТП, 28, 2045 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель