Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сильное фотоиндуцированное увеличение интенсивности люминесценции анодно окисленного пористого кремния

Голубев В.Г.¹, Жерздев А.В.¹, Мороз Г.К.¹, Пацекин А.В.¹, Ян Д.Т.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 июня 1995 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обнаружено сильное нелинейное возрастание фотолюминесценции под действием непрерывного лазерного возбуждения (488 нм) малой мощности (<1 Вт/см²) при комнатной температуре в свежеприготовленном анодно окисленном пористом кремнии. Максимальное абсолютное значение интенсивности фотолюминесценции, а также ее максимальное относительное изменение со временем облучения достигнуты в слоях пористого кремния со средней степенью окисления. Лазерное освещение привело к увеличению интенсивности колебательных мод в конфигурациях O₃-SiH, Si-O-Si и Si-OH по отношению к интенсивности мод SiH_n в инфракрасных спектрах поглощения. Результаты подтвердили, что структура окисла на поверхности кремниевых кристаллитов, а также структура интерфейса Si/SiO₂ играют важную роль в процессе фотолюминесценции.

L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
V. Lehmann, V.Gosele. Appl. Phys. Lett., 58, 856 (1991)
R.T. Collins. M.A. Tischler, J.H. Stathis. Appl. Phys. Lett., 61, 1649 (1992)
M.A. Tischler, R.T. Collins, J.H. Stathis, J.C. Tsang. Appl. Phys. Lett., 60, 639 (1992)
I. Suemune, N. Noguchi, M. Yammanishi. Japan. J. Appl. Phys., 31, L494 (1992)
S.M. Prokes, J.A. Freitas, P.C. Searson. Appl. Phys. Lett., 60, 3295 (1992)
R. Laiho, A. Pavlov, O. Hovi, T. Tsuboi. Appl. Phys. Lett., 63, 275 (1993)
К.С. Журавлев, Н.П. Степина, Т.С. Шамирзаев, Э.Ю. Бучин, Н.Е. Мокроусов. ФТП, 28, 482 (1994)
P.D. Stevens, R. Glosser. Appl. Phys. Lett., 63, 803 (1993)
Y. Xiao, M.J. Heben, J.M. McCullough, Y.S. Tsuo, J.I. Pancove, S.K. Deb. Appl. Phys. Lett., 62, 1152 (1993)
J.L. Batstone, M.A. Tischler, R.T. Collins. Appl. Phys. Lett., 62, 2667 (1993)
V. Petrova-Koch, T. Muschik, A. Kux, B.K. Meyer, F. Koch, V. Lehman. Appl. Phys. Lett., 61, 943 (1992)
A. Bsiesy, J.C. Vial, F. Gaspard, R. Herino, M. Ligeon, F. Muller, R. Romestain, A. Wasiela, A. Halimaoui, G. Bomchil. Surf. Sci., 254, 195 (1991)
J.C. Vial, A. Bsiesy, F. Gaspard, R. Herino, M. Ligeon, F. Muller, R. Romestain, R.M. Macfarlane. Phys. Rev. B, 45, 14171 (1992)
D. Bellet, S. Billat, G. Dolino, M. Ligeon, C. Meyer, F. Muller. Sol. St. Commun., 86, 51 (1993)
T. Ito, K. Motoi, O. Arakaki, A. Hatta, A. Hiraki. Japan. J. Appl. Phys., 33, L941 (1994)
A. Halimaoui, C. Oules, G. Bomchil, A. Bsiesy, F. Gaspard, R. Herino, M. Ligeon, F. Muller. Appl. Phys. Lett., 59, 304 (1991)
M. Ligeon, F. Muller, R. Herino, F. Gaspard, J.C. Vial, R. Romestain, S. Billat, A. Bsiesy. J. Appl. Phys., 74, 1265 (1993)
A. Halimaoui. Appl. Phys. Lett., 63, 1264 (1993)
S. Shih, K.H. Jung, D.L. Kwong, M. Kovar, J.M. White. Appl. Phys. Lett., 62, 1780 (1993)
S. Shih, K.H. Jung, J. Yan, D.L. Kwong, M. Kovar, J.M. White, T. George, S. Kim. Appl. Phys. Lett., 63, 3306 (1993)
A. Borghesi, A. Sassella, B. Pivas, L.Pavesi. Sol. St. Commun., 87, 1 (1993)
H.D. Fuchs, M. Stutzmann, M.S. Brandt, M. Rosenbauer, J. Weber, A. Breitschwerdt, P. Deak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 48, 8172 (1993)
Y. Takeda, S. Hyodo, N. Susuki, T. Motohiro, T. Hioki, S. Noda. J. Appl. Phys., 73, 1924 (1993)
S.M. Prokes. Appl. Phys. Lett., 62, 3244 (1993)
S.M. Prokes, O.J. Glembocki. Phys. Rev. B, 49, 2238 (1994)
S.M. Prokes, W.E. Carlos, O.J. Glembocki. Phys. Rev. B, 50, 17093 (1994)
F. Koch, V. Petrova-Koch, T. Muschik, A. Nicolov, V. Gavrilenko. In: \it Microcrystalline Semiconductors: Materials Science and Devices [MRS Symp. Proc. (Pittsburg, P.A., 1993) v. 283, p. 297]
L. Tsybeskov, Ju.V. Vandyshev, P.M. Fauchet. Phys. Rev. B, 49, 7821 (1994)
L. Tsybeskov, P.M. Fauchet. Appl. Phys. Lett., 64, 1983 (1994)
Y. Kanemitsu, T. Ogawa, K. Shiraishi, K. Takeda. Phys. Rev. B, 48, 4883 (1993)
Y. Kanemitsu, T. Futagi, T. Matsumoto, H. Mimura. Phys. Rev. B, 49, 14732 (1994)
Y. Kanemitsu. Phys. Rev. B, 49, 16845 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель