"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Концентрационные решетки в электронно-дырочной плазме, дрейфующей в переменном электрическом поле
Борблик В.Л.1, Грибников З.С.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 12 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Рассмотрен биполярный дрейф под действием переменного во времени электрического поля слабо-несобственной электронно-дырочной плазмы в полупроводнике со слабой затравочной решеткой отношения подвижностей электронов и дырок. Переменный характер поля позволяет снизить роль контактных явлений и выноса носителей из активной зоны решетки. Дрейф в переменном поле (как и в постоянном) создает высококонтрастные плазменные концентрационные решетки, причем величина пропускаемого тока эффективно управляет параметрами такой решетки и соотношением ее стационарной и осциллирующей компонент. С ростом тока осциллирующая составляющая плазменной решетки затухает и решетка стремится к стационарному асимптотическому пределу.
  1. З.С. Грибников. ФТП, 9, 1710 (1975)
  2. З.С. Грибников, С.И. Козловский, В.А. Романов. ФТП, 12, 1794 (1978)
  3. В.Н. Добровольский, С.П. Павлюк, А.В. Романов. ФТП, 21, 748 (1987)
  4. Т.З. Грибникова, З.С. Грибников. УФЖ, 27, 1350, (1982)
  5. З.С. Грибников. ФТП, 16, 1843 (1982)
  6. З.С. Грибников, Р.Н. Литовский, Е.В. Моздор. ФТП, 17, 1438 (1983)
  7. В.Л. Винецкий, Н.В. Кухтарев, С.Г. Одулов, М.С. Соскин. УФН, 129, 113 (1979)
  8. Ю. Вайткус, Л. Субачюс, К. Ярашюнас. \it Тез. докл. VII Всес. симп. "Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках" (Паланга, 1989) ч. II, с. 279
  9. Ю. Вайткус, С. Стариков, Л. Субачюс, К. Ярашюнас. Лит. физ. сб., 30, 336 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.