Приводятся результаты исследования низкотемпературного примесного пробоя донорных состояний примеси сурьмы в монокристаллах полупроводниковых твердых растворов Ge_1-xSi_x (0=<q x=<q 0.124). На основании исследования эффекта Холла, проводимости и вольт-амперных характеристик в области примесного пробоя в условиях одноосной упругой деформации сжатия в направлении < 100> показано, что с ростом содержания Si увеличивается энергия ионизации донорных состояний примеси Sb, а с ростом деформации уменьшается подвижность электронов. В условиях сложной структуры дна зоны проводимости вблизи инверсии зон типа < 111>->< 100> глубокие резонансные донорные состояния примеси Sb, расположенные обычно в разрешенной зоне, выходят в запрещенную зону. Однако с увеличением деформации поле пробоя возрастает только в сплавах в интервале составов, соответствующих x<0.08, а для сплавов с x>0.08 - уменьшается. Увеличение поля пробоя с ростом деформации коррелирует с наблюдаемым уменьшением подвижности и увеличением энергии ионизации доноров. Причина уменьшения поля пробоя с ростом деформации в настоящее время не ясна.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.