"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Низкотемпературный пробой донорных состояний примеси сурьмы в сплавах Ge 1- xSi x
Шаховцова С.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 января 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Приводятся результаты исследования низкотемпературного примесного пробоя донорных состояний примеси сурьмы в монокристаллах полупроводниковых твердых растворов Ge1-xSix (0=<q x=<q 0.124). На основании исследования эффекта Холла, проводимости и вольт-амперных характеристик в области примесного пробоя в условиях одноосной упругой деформации сжатия в направлении < 100> показано, что с ростом содержания Si увеличивается энергия ионизации донорных состояний примеси Sb, а с ростом деформации уменьшается подвижность электронов. В условиях сложной структуры дна зоны проводимости вблизи инверсии зон типа < 111>->< 100> глубокие резонансные донорные состояния примеси Sb, расположенные обычно в разрешенной зоне, выходят в запрещенную зону. Однако с увеличением деформации поле пробоя возрастает только в сплавах в интервале составов, соответствующих x<0.08, а для сплавов с x>0.08 --- уменьшается. Увеличение поля пробоя с ростом деформации коррелирует с наблюдаемым уменьшением подвижности и увеличением энергии ионизации доноров. Причина уменьшения поля пробоя с ростом деформации в настоящее время не ясна.
  1. F. Bassani, D. Brust. Phys. Rev., 131, 1524 (1963)
  2. П.И. Баранский, В.В. Коломоец, Б.А. Сусь, В.В. Шаповалов. ФТП, 13, 602 (1979)
  3. В.А. Чуенков. ФТТ, 2, (1960)
  4. Ю.А. Семенюк, С.И. Шаховцова, И.Н. Белокурова. ФТП, 24, 1272 (1990)
  5. Ю.А. Семенюк, С.И. Шаховцова, И.Н. Белокурова. ФТП, 25, 1553 (1991)
  6. В.И. Шаховцов, С.И. Шаховцова, Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец. ФТП, 23, 48 (1989)
  7. K.E. Newman, J.D. Dow. Phys. Rev. B, 30, 1929 (1984)
  8. M. Glicksman. Phys. Rev., 111, 125 (1958)
  9. В.Д. Искра. Изв. вузов. Физика, N 5, 47 (1987)
  10. P.I. Baranskii, V.V. Baidakov, V.N. Ermakov, N.N. Grigorev, V.V. Kolomoets, T.A. Kudykyna. Phys. St. Sol. (b), 114, k101 (1982)
  11. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. \it Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  12. H.P. Hjalmarson, P. Vogl, D.J. Wolford, J.D. Dow. Phys. Rev. Lett., 44, 810 (1980)
  13. R. Krussmann, H. Vollmer, R. Labusch. Phys. St. Sol. (b), 118, 275 (1983)
  14. E. Shmidt. Phys. St. Sol., 27, 57 (1968)
  15. И.Н. Белокурова, В.Ф. Дегтярев, В.С. Земсков, Е.В. Скуднова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 14, 2119 (1978)
  16. К. Херринг, Е. Фогт. В кн.: \it Проблемы физики полупроводников (М., Физматгиз, 1957)
  17. М. Аше, З.С. Грибников, В.В. Митин, О.Г. Сарбей. \it Горячие электроны в многодолинных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1957)
  18. M. Asche, E. Russu. Phys. St. Sol. (b), 66, 499 (1974)
  19. K. Fletsher, G.D. Pitt. J. Phys. C, 4, 1822 (1971)
  20. C.N. Ahmad, A.R. Adams. Phys. Rev. B, 34, 2319 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.