"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние лантаноидов на дефектно-примесный состав эпитаксиальных слоев GaP
Алешин В.П.1, Бринкевич Д.И.1, Вабищевич С.А.1, Соболев Н.А.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 3 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Методами фотолюминесценции и вольт-емкостных измерений исследованы эпитаксиальные слои GaP, легированные редкоземельными элементами Gd и Dy в процессе жидкофазной эпитаксии. Установлено, что введение редкоземельных элементов в расплав приводило к появлению в спектрах фотолюминесценции узкой полосы вблизи 541 нм. Экспериментальные результаты проанализированы с учетом геттерирования донорных примесей в расплаве и образования в кристалле структурных дефектов акцепторного типа.
  1. V. Kovalenko, V. Krasnov, V. Malyshev. Semicond. Sci. Technol., 8, 1755 (1993)
  2. В.Ф. Мастеров, Л.Ф. Захаренков. ФТП, 24, 610 (1990)
  3. Т.А. Лагвилава, М.Г. Мильвидский, Е.В. Соловьева. ФТП, \it 24, 1367 (1990)
  4. S.L. Pyshkin, A. Anedda. Mater. Res. Soc. Proc., 301 [\it Rareearth Doped Semicond. (1993) p. 207]
  5. В.А. Касаткин, Ф.П. Кесаманлы, В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 16, 1901 (1980)
  6. X.Z. Wang., B.W. Wessele. Appl. Phys. Lett., 64, 1537 (1994)
  7. В.Ф. Мастеров. ФТП, 27, 1435 (1993)
  8. I.A. Buyanova, A.J. Neuhafen, B.W. Wessels. Appl. Phys. Lett., 61, 2461 (1992)
  9. P.J. Dean, C.J. Frosch, H. Henry. J. Appl. Phys., 39, 5631 (1968)
  10. J.A. Garcia, A. Remon, F. Dominques-Adame, J. Piqueras. Mater. Chem. Phys., 28, 267 (1991)
  11. D.I. Brinkevich, N.M. Kazuchts, V.V. Petrov. Mater. Res. Soc. Proc., 301 [\it Rare-Earth Dored Semicond. (1993) p. 79]
  12. V.V. Borschensy, D.I. Brinkevich, V.V. Petrov, V.S. Prosolovich. Mater. Res. Soc. Proc., 301 [\it Rare-Earth Dored Semicond. (1993) p. 73]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.