"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квазистационарный перенос заряда поверхностной акустической волной
Бугаев А.С.1, Захарова А.А.1
1Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Теоретически рассмотрен квазистационарный перенос заряда акустической волной в структурах на основе GaAs. Найдены условия формирования пакета заряда в потенциальной яме, создаваемой волной за счет пьезоэлектрического эффекта. Получены аналитические выражения для распределения концентрации электронов в пакете заряда и плотности тока в двумерной области переноса.
  1. А.С. Бугаев, Ю.В. Гуляев, И.И. Сахацкий, В.А. Яценко. Зарубеж. радиоэлектрон., N 3, 23 (1991)
  2. M.J. Hoskins, H. Morkoc, B.J. Hunsinger. Appl. Phys. Lett., 41, 332 (1982)
  3. B. Schmukler, M.J. Hoskins. Appl. Phys. Lett., 52, 428 (1988)
  4. B.C. Beggs, L. Young, R.R. Johnson. J. Appl. Phys., 63, 2425 (1988)
  5. Ю.В. Гуляев, А.С. Бугаев, В.Н. Хитров, Н.Н. Шибанова. В кн.: \it Вопросы теории и практического использования поверхности акустических волн (М., МЭИ, 1989) N 2, с. 22
  6. F.L. Augustine, R.J. Schwartz, R.L. Gunshor. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-29, 1876 (1982)
  7. M.J. Hoskins, B.J. Hunsinger. J. Appl. Phys., 55, 413 (1984)
  8. G.A. Peterson, B.J. McGartin, W.J. Tanski, R.E. LaBarre. Appl. Phys. Lett., 55, 1330 (1989)
  9. S.M. Knapp, J.J. Lion, D.C.Malocha, In: \it Proc. IEEE Ultrasonics symp. (1989) p. 223
  10. S.M. Knapp, J.J. Lion, D.C. Malocha. In: \it Proc. IEEE Ultrasonics symp. (1990) p. 243
  11. S. Datta, B.J. Hunsinger. J. Appl. Phys., 49, 475 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.