Химическая связь и структурные искажения в кремнии, легированном непереходными элементами
Онопко Д.Е.1, Баграев Н.Т.1, Рыскин А.И.1
1Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 января 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.
В кластерном приближении на основе физически адекватного метода учета граничных условий исследована электронная структура мелких и глубоких примесных центров в Si, создаваемых атомами непереходных элементов. Анализ особенностей химической связи примесного центра свидетельствует о том, что исходная тетраэдрическая симметрия перестает быть заведомо оптимальной и появляется вероятность ее понижения. При этом для мелких доноров и акцепторов III и V групп наиболее характерным является понижение симметрии до тригональной C3v, для глубоких доноров и акцепторов II и VI групп - до орторомбической C2v. Полученные выводы согласуются с экспериментальными данными по исследованию реконструкции примесных центров в кремнии, легированном атомами халькогенов и бериллия, и в твердых растворах Si1-xGex, содержащих мелкие доноры.
- М. Ланно, Ж. Бургуен. \it Точечные дефекты в полупроводниках (М., Мир, 1984)
- A. Zunger. Sol. St. Phys., 39, 275 (1986)
- B.G. Cartling. J. Phys. C, 8, 3171 (1975)
- Д.Е. Онопко, Л.М. Могилева. ФТТ, 26, 3483 (1984)
- Л.М. Могилева, Д.Е. Онопко. ФТП, 20, 939 (1986)
- Д.Е. Онопко. Опт. и спектр., 74, 1105 (1993)
- Д.Е. Онопко, А.И. Рыскин. Опт. и спектр., 75, 1009 (1993)
- Д.Е. Онопко, А.И. Рыскин. Опт. и спектр., 75, 1255 (1993)
- Д.Е. Онопко, А.И. Рыскин. Опт. и спектр., 76, 751 (1994)
- G.D. Watkins. Physica, 117B--118B, 9 (1983)
- K.L. Brower. Phys. Rev. B, 4, 1968 (1971)
- K.L. Brower. Phys. Rev. B, 5, 4274 (1972)
- H.G. Grimmeiss, E. Janzen. In: \it Deep Centers in Semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (Gordon and Breach Sci. Publ., N. Y., 1986) p. 87
- V.A. Singh, U. Lindefelt, A. Zunger. Phys. Rev. B, 27, 4909 (1983)
- G. Bemski. J. Appl. Phys., 30, 1195 (1959)
- S.H. Muller, G.M. Tuymnan, E.G. Sieverts, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. B, 25, 25 (1982)
- Н.Т. Баграев, А. Юсупов. ФТП, 28, 198 (1994)
- D.V. Lang. In: \it Deep Centers in Semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (Gordon and Breach Sci. Publ., N. Y., 1986) p. 489
- S.J. Pearton, M. Stavola, J.W. Corbett. Rad. Eff. Def. Sol., 111--112, 323 (1989)
- Н.Т. Баграев, А.А. Лебедев, Р.М. Мирсаатов, И.С. Половцев, А. Юсупов. ФТП, 28, 213 (1994)
- G.D. Watkins. Festrorperprobleme XXIV, 163 (1984)
- N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Sol. St. Commun., 65, 1111 (1988)
- M. Kleverman. \it Studies on Electronical Properties of Defects in Silicon and GaAs. Thesis (Lund University, 1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
