"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Химическая связь и структурные искажения в кремнии, легированном непереходными элементами
Онопко Д.Е.1, Баграев Н.Т.1, Рыскин А.И.1
1Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 января 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

В кластерном приближении на основе физически адекватного метода учета граничных условий исследована электронная структура мелких и глубоких примесных центров в Si, создаваемых атомами непереходных элементов. Анализ особенностей химической связи примесного центра свидетельствует о том, что исходная тетраэдрическая симметрия перестает быть заведомо оптимальной и появляется вероятность ее понижения. При этом для мелких доноров и акцепторов III и V групп наиболее характерным является понижение симметрии до тригональной C3v, для глубоких доноров и акцепторов II и VI групп --- до орторомбической C2v. Полученные выводы согласуются с экспериментальными данными по исследованию реконструкции примесных центров в кремнии, легированном атомами халькогенов и бериллия, и в твердых растворах Si1-xGex, содержащих мелкие доноры.
  1. М. Ланно, Ж. Бургуен. \it Точечные дефекты в полупроводниках (М., Мир, 1984)
  2. A. Zunger. Sol. St. Phys., 39, 275 (1986)
  3. B.G. Cartling. J. Phys. C, 8, 3171 (1975)
  4. Д.Е. Онопко, Л.М. Могилева. ФТТ, 26, 3483 (1984)
  5. Л.М. Могилева, Д.Е. Онопко. ФТП, 20, 939 (1986)
  6. Д.Е. Онопко. Опт. и спектр., 74, 1105 (1993)
  7. Д.Е. Онопко, А.И. Рыскин. Опт. и спектр., 75, 1009 (1993)
  8. Д.Е. Онопко, А.И. Рыскин. Опт. и спектр., 75, 1255 (1993)
  9. Д.Е. Онопко, А.И. Рыскин. Опт. и спектр., 76, 751 (1994)
  10. G.D. Watkins. Physica, 117B--118B, 9 (1983)
  11. K.L. Brower. Phys. Rev. B, 4, 1968 (1971)
  12. K.L. Brower. Phys. Rev. B, 5, 4274 (1972)
  13. H.G. Grimmeiss, E. Janzen. In: \it Deep Centers in Semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (Gordon and Breach Sci. Publ., N. Y., 1986) p. 87
  14. V.A. Singh, U. Lindefelt, A. Zunger. Phys. Rev. B, 27, 4909 (1983)
  15. G. Bemski. J. Appl. Phys., 30, 1195 (1959)
  16. S.H. Muller, G.M. Tuymnan, E.G. Sieverts, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. B, 25, 25 (1982)
  17. Н.Т. Баграев, А. Юсупов. ФТП, 28, 198 (1994)
  18. D.V. Lang. In: \it Deep Centers in Semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (Gordon and Breach Sci. Publ., N. Y., 1986) p. 489
  19. S.J. Pearton, M. Stavola, J.W. Corbett. Rad. Eff. Def. Sol., 111--112, 323 (1989)
  20. Н.Т. Баграев, А.А. Лебедев, Р.М. Мирсаатов, И.С. Половцев, А. Юсупов. ФТП, 28, 213 (1994)
  21. G.D. Watkins. Festrorperprobleme XXIV, 163 (1984)
  22. N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Sol. St. Commun., 65, 1111 (1988)
  23. M. Kleverman. \it Studies on Electronical Properties of Defects in Silicon and GaAs. Thesis (Lund University, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.