Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние alpha-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 5 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.
Исследована дозовая зависимость фотолюминесценции пористого кремния при alpha-облучении. Обнаружено, что форма и энергетическое положение спектра фотолюминесценции не зависят от alpha-облучения. Интенсивность фотолюминесценции с ростом дозы alpha-облучения падает по экспоненциальному закону.
- J.C. Fu, J.C. Mao, E. Wu, J.Q. Jia, B.R. Zhang, L.Z. Zhang, G.G. Qin, G.S. Wui, Y.H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 63, 1830 (1993)
- Е.В. Астрова, В.В. Емцев, А.А. Лебедев, Д.С. Полоскин, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 29, N 7, 1301 (1995)
- А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. Препринт (Л., 1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
