"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние alpha-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния
Лебедев А.А.1, Иванов А.М.1, Ременюк А.Д.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Исследована дозовая зависимость фотолюминесценции пористого кремния при alpha-облучении. Обнаружено, что форма и энергетическое положение спектра фотолюминесценции не зависят от alpha-облучения. Интенсивность фотолюминесценции с ростом дозы alpha-облучения падает по экспоненциальному закону.
  • J.C. Fu, J.C. Mao, E. Wu, J.Q. Jia, B.R. Zhang, L.Z. Zhang, G.G. Qin, G.S. Wui, Y.H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 63, 1830 (1993)
  • Е.В. Астрова, В.В. Емцев, А.А. Лебедев, Д.С. Полоскин, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 29, N 7, 1301 (1995)
  • А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. Препринт (Л., 1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.