"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние alpha-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния
Лебедев А.А.1, Иванов А.М.1, Ременюк А.Д.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Исследована дозовая зависимость фотолюминесценции пористого кремния при alpha-облучении. Обнаружено, что форма и энергетическое положение спектра фотолюминесценции не зависят от alpha-облучения. Интенсивность фотолюминесценции с ростом дозы alpha-облучения падает по экспоненциальному закону.
  1. J.C. Fu, J.C. Mao, E. Wu, J.Q. Jia, B.R. Zhang, L.Z. Zhang, G.G. Qin, G.S. Wui, Y.H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 63, 1830 (1993)
  2. Е.В. Астрова, В.В. Емцев, А.А. Лебедев, Д.С. Полоскин, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 29, N 7, 1301 (1995)
  3. А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. Препринт (Л., 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.