"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных фосфором
Курова И.А.1, Мелешко Н.В.1, Ларина Э.В.1, Хлебникова О.П.1, Громадин А.Л.1
1Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Исследовано влияние высокотемпературного отжига на проводимость sigmad и фотопроводимость sigma ph пленок аморфного кремния a-Si : H, легированных фосфором. Показано, что не наблюдается повышения sigmad и sigma ph пленок после отжига их при температурах Ta<450oC, как это наблюдалось в пленках, легированных бором, вследствие увеличения концентрации электрически активных атомов примеси B. Приводится возможное объяснение различного влияния отжига на пленки, легированные донорной и акцепторой примесью.
  1. S.J. Pearton, J.W. Corbett, J.S. Shi. J. Appl. Phys. A, 43, 153 (1987)
  2. M.L. Thewalt, E.C. Lightowter, Y.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 46, 686 (1985)
  3. N.M. Jhonson, C. Herring, D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett., 56, 769 (1986)
  4. P.J.H. Dentenur, C.G. Van de Walle, S.T. Pantelides. Phys. Rev. B, 39, 10809 (1989)
  5. K.S. Chang, D.S. Chadi. Phys. Rev. A, 40, 11644 (1989)
  6. И.А. Курова, А.Н. Лупачева, Н.В. Мелешко, Э.В. Ларина. ФТП, 28, 1092 (1994)
  7. R.A. Street, J. Kakalios, C.C. Tsai, T.M. Hayes. Phys. Rev. B, 35, 1316 (1987)
  8. B.G. Yoon, C. Lee, J. Jang. J. Appl. Phys., 60, 673 (1986)
  9. И.П. Звягин. \it Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., Изд-во МГУ, 1984) с. 86
  10. \it Аморфные полупроводники, под ред. М.Бродски (М., Мир, 1982) с. 60
  11. W. Beyer, H. Wagner. J. de Physique, Coll. C4, 42, 783 (1981)
  12. W.B. Jackson. Phys. Rev. B, 41, 12323 (1990)
  13. C.E. Nebel, R.A. Street, W.B. Jackson, N.M. Johnson. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 203 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.