Вышедшие номера
Разрешенная во времени импульсная экситонная фотолюминесценция чистых кристаллов и пленок 6 H-SiC
Данишевский А.М.1, Рогачев А.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Приведены спектры разрешенной во времени экситонной фотолюминесценции чистых образцов 6H-SiC при 90 K, полученные при различных временных задержках, отсчитанных от максимума возбуждающего импульса. Экситонные полосы неодинаково затухают во времени, и некоторые из них имеют небольшой сдвиг по энергии от времени задержки. Приведены оценки, поясняющие возможность неблюдения такого сдвига.