"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Разрешенная во времени импульсная экситонная фотолюминесценция чистых кристаллов и пленок 6 H-SiC
Данишевский А.М.1, Рогачев А.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Приведены спектры разрешенной во времени экситонной фотолюминесценции чистых образцов 6H-SiC при 90 K, полученные при различных временных задержках, отсчитанных от максимума возбуждающего импульса. Экситонные полосы неодинаково затухают во времени, и некоторые из них имеют небольшой сдвиг по энергии от времени задержки. Приведены оценки, поясняющие возможность неблюдения такого сдвига.
  1. W.-J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev., 127, 1868 (1962)
  2. M. Ikeda, T. Hayakawa, S. Yamagiwa, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., 50, 8215 (1979)
  3. M. Ikeda, H. Matsunami. Phys. St. Sol. (a), 58, 657 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.