Исследованы температурные зависимости краевой фотолюминесценции нелегированных и легированных хлором (Cl) слоев Zn_1-xMg_xS_ySe_1-y (0<x<0.05, 0<y<0.25) и Zn_1-xCd_xSe (0<x<0.2), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (100). Показано, что флуктуации состава твердого раствора, наиболее выраженные для слоев ZnS_ySe_1-y(Zn_1-xCd_xSe) с большим содержанием S (Cd), приводит к существенному уширению линии экситонной люминесценции. При гелиевых температурах локализация экситонов на флуктуациях состава приводит к возрастанию интегральной интенсивности фотолюминесценции твердых растворов по сравнению с чистыми слоями ZnSe при малых плотностях возбуждения. При 77 K происходит делокализация экситонов и носителей существенно уменьшается интегральная интенсивность краевой фотолюминесценции. Умеренное легирование хлором (10¹⁷/10¹⁸ см^-3) вызывает гигантское увеличение интенсивности краевой фотолюминесценции в слоях ZnSe и ZnS_ySe_1-y. Реализованы инжекционные лазеры с квантовыми ямами в системе ZnSe-ZnCdSe, работающие при 77 K в импульсном режиме (пороговая плотность тока 600 А/см²) и лазеры, работающие при комнатной температуре в импульсном режиме на структурах с эмиттерами ZnSSe, согласованными по параметру решетки с подложкой GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.