"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Люминесценция нелегированных и легированных хлором слоев Zn 1- xCd xSe и Zn 1- xMg xS y Se 1- y, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Иванов С.В.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Торопов А.А.1, Шубина Т.В.1, Сорокин С.В.1, Парк, Х.С.1, Ким, Д.Р.1, О, Э.С.1, Джонг, Х.Д.1, Парк, С.Х.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Исследованы температурные зависимости краевой фотолюминесценции нелегированных и легированных хлором (Cl) слоев Zn1-xMgxSySe1-y (0<x<0.05, 0<y<0.25) и Zn1-xCdxSe (0<x<0.2), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (100). Показано, что флуктуации состава твердого раствора, наиболее выраженные для слоев ZnSySe1-y(Zn1-xCdxSe) с большим содержанием S (Cd), приводит к существенному уширению линии экситонной люминесценции. При гелиевых температурах локализация экситонов на флуктуациях состава приводит к возрастанию интегральной интенсивности фотолюминесценции твердых растворов по сравнению с чистыми слоями ZnSe при малых плотностях возбуждения. При 77 K происходит делокализация экситонов и носителей существенно уменьшается интегральная интенсивность краевой фотолюминесценции. Умеренное легирование хлором (1017/1018 см-3) вызывает гигантское увеличение интенсивности краевой фотолюминесценции в слоях ZnSe и ZnSySe1-y. Реализованы инжекционные лазеры с квантовыми ямами в системе ZnSe--ZnCdSe, работающие при 77 K в импульсном режиме (пороговая плотность тока 600 А/см2) и лазеры, работающие при комнатной температуре в импульсном режиме на структурах с эмиттерами ZnSSe, согласованными по параметру решетки с подложкой GaAs.
  1. A. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng. Appl. Phys. Lett., 59, 1272 (1991)
  2. H. Jeon, J. Ding, W. Patterson, A.V. Nurmikko, W. Xie, D.C. Grillo, M. Kobayashi, R.L. Gunshor. Appl. Phys. Lett., 59, 3619 (1991)
  3. A. Ishibashi, Y. Mori. J. Cryst. Growth, 138, 677 (1994)
  4. S. Itoh, A. Ishibashi. \it Workbook Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy (MBE-VIII) (Osaka, Japan, 1994), p. 202
  5. J. Petruzzello, R. Drenten, J.M. Gaines. J. Cryst. Growth, 138, 686 (1994)
  6. Н.Н. Леденцов, С.В. Иванов, В.М. Максимов, И.В. Седова, И.Г. Татабадзе, П.С. Копьев. ФТП, 29, 65 (1995)
  7. P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov, A.Yu. Yegorov, D.Yu. Uglov. J. Cryst. Growth, 96, 533 (1989)
  8. K. Shahzad, D.J. Olego, D.A. Cammack. J. Cryst. Growth, 101, 763 (1990)
  9. Y.D. Kim, S.L. Cooper, M.V. Klein. Appl. Phys. Lett., 62, 2387 (1993)
  10. Z. Zhu, H. Mori, T. Yao. Appl. Phys. Lett., 61, 2811 (1992)
  11. Zh.I. Alferov, P.S. Kop'ev, A.V. Lebedev, N.N. Ledentsov, S.V. Ivanov, I.V. Sedova, T.V. Shubina, A.A. Toropov. \it Abstract 7th Int. Conference on Superlattice, Microstructures and Microdevices (Banff, Canada, 1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.