"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Самообращение линий излучения свободных экситонов в монокристаллах CdS
Яблонский Г.П.1, Ракович Ю.П.1, Гладыщук А.А.1
1Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 12 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

Впервые обнаружено самообращение линий излучения свободных экситонов в монокристаллах CdS после нагревания от 77 до 295/395 K и последующего быстрого охлаждения до температуры жидкого азота. Это явление объясняется самопоглощением излучения в тонком приповерхностном слое с пониженной концентрацией экситонов. Неоднородное распределение экситонов обусловлено действием электрических полей, возникающих при зарядке поверхностных состояний.
  1. В.С. Вавилов, А.А. Гиппиус, Ж.Р. Паносян. Сб. Теллурид кадмия, \bf 103, М.: Наука (1968)
  2. B. Sermage, M. Voos. Phys. Rev. B, 15, 3945 (1977)
  3. M.S. Brodin, M.G. Matsko. Sol. St. Commun., 35, 375 (1980)
  4. В.В. Новиков, А.Б. Павлов, В.Г. Талалаев. ФТТ, \bf 23, 207 (1981)
  5. В.В. Травников, В.В. Криволапчук. ФТТ, 24, 961 (1982)
  6. В.В. Криволапчук, С.А. Пермогоров, В.В. Травников. ФТТ, \bf 23, 606 (1981)
  7. R.D. Cowan, G.H. Dieke. Rev. Mod. Phys., 20, 418 (1948)
  8. П.И. Перов, Л.А. Авдеева, А.Г. Ждан, М.И. Елинсон. ФТТ, \bf 11, 92 (1969)
  9. J.J. Hopfield, D.G. Thomas. Phys. Rev., 116, 573 (1959)
  10. S.R. Morrison. Adv. Catal., 7, 259 (1975)
  11. D. Berlincourt, H. Jaffe, L.R. Shiozawa. Phys. Rev., \bf 129, 1009 (1963)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.