"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические свойства поверхностей PbTe и (PbSn)Te
Яфясов А.М.1
1Институт физики при Санкт-Петербургском государственном университете,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

Экспериментально методом эффекта поля в электролитах исследованы электронные и зонные параметры PbTe и Pb1-xSnxTe с x=0.20, 0.25, 0.30. Определены значения ширины запрещенной зоны, эффективных масс плотностей электронных и дырочных состояний на поверхности в области пространственного заряда этих материалов. Показано, что в приповерхностном объеме PbTe и Pb1-xSnxTe закон дисперсии разрешенных зон может быть удовлетворительно описан в рамках параболической модели.
  1. А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сальков, Ф.Ф. Сизиков. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники. Современные тенденции, новые материалы, 256. Киев (1984)
  2. Х. Кейси, М. Панн. Лазеры на гетероструктурах, 115. М. (1981)
  3. В.Б. Божевольнов, А.М. Яфясов. Вестн. ЛГУ, \bf 4, 18 (1989)
  4. А.М. Яфясов, В.В. Монахов, О.В. Романов. Вестн. ЛГУ, \bf 4, 104 (1986)
  5. И.М. Цидильковский. Зонная структура полупроводников, 328. М. (1978)
  6. В.В. Монахов, А.М. Яфясов, О.В. Романов. ФТП, \bf 20, 954 (1986)
  7. В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников, 338. М. (1965)
  8. Н.Н. Берченко, А.И. Евстигнеев, В.Ю. Ерохов, А.В. Матвеенко. Зарубежная электронная техника, \bf 3, 3 (1981)
  9. Narrow-gap semiconductors, 98, 309. Berlin--N.Y.--Tokio: Springer-Verlag (1982)
  10. S.P. Yordanov. Bulg. J. Phys., 17, 507 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.