Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние различных методов обработки на состояние поверхности 6 H-SiC (000h1)

Андреев А.Н.¹, Аникин М.М.¹, Сыркин А.Л.¹, Челноков В.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 13 июля 1993 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами оже-спектрометрии исследовано влияние ионно-плазменного травления в плазме аргона и азота, реактивного ионно-плазменного травления в плазме SF₆ и CF₄, химического травления и химического удаления окисла с предварительно окисленного образца на степень разупорядоченности и стехиометрический состав 6H-SiC (0001). Показано, что ионно-плазменное травление приводит к полному разрушению связей Si-C на поверхности. Обработка всеми остальными способами приводит в основном к нарушению стехиометрического состава. Исследовано влияние прогрева и облучения электронами на отношение C/Si после обработки. Установлено, что изменение стехиометрического состава при прогреве существенно зависит от способа предварительной обработки.

Б.С. Данилин, В.Ю. Киреев. Ионное травление микростуктур. Сов. радио (1979)
L.E. Davis, N.C. Macdonald, P.W. Palmberg, G.R. Reach, R.E. Weber. Handbook of Auger Electron Spectroscopy, Minesota (1976)
L. Muehlhoff, M.J. Bozak, W.J. Choyke, John T.Yates. J. Appl. Phys., \bf 60, 2558 (1986)
J.S. Johannesen, W.E. Spaser, Y.E. Strausser. J. Appl. Phys., \bf 47, 3028 (1976)
L. Muehlhoff, M.J. Bozak, W.J. Choyke. John T.Yates. J. Appl. Phys., \bf 60, 2842 (1986)
F. Bozco, L. Muehlhoff, M. Trenary, W.J. Choyke, John T.Yates. J. Vac. Sci. Techn. A, \bf 2, 1271 (1984)
И.В. Попов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 12, 240 (1985)
М.И. Карклина, Д.Т. Саидбеков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 8, 378 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель