О влиянии электронного пучка на энергетическое распределение локализованных состояний в аморфном нитриде кремния
Терехов В.А.1, Селезнев В.Н.1, Домашевская Э.П.1
1Воронежский государственный университет,, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 19 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.
Методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии проведено исследование влияния возбуждающего спектр Si-L2,3 электронного пучка на энергетическое распределение локализованных состояний в запрещенной зоне аморфного нитрида кремния. Установлено, что с ростом дозы электронного облучения происходит перераспределение электронной плотности из энергетической области E=Ev+2.2 эВ в область E=Ev+0.5 эВ. Уменьшение электронной плотности при E=Ev+2.2 эВ интерпретируется захватом электронов на D0-центры и переходом их в D--центры, энергетически локализованные вблизи зоны проводимости.
- E.P. Domashevskaja, V.N. Seleznev, E.N. Desjatirikova, V.A. Terekhov. Mickroelectr., \bf 20, 11 (1989)
- J. Robertson. J. Appl. Phys., 54, 4490 (1983)
- Э.П. Домашевская, Ю.К. Тимошенко, В.А. Терехов, Е.Н. Десятирикова, В.Н. Селезнев. В сб.: Докл. Всес. семинара "Новые идеи в физике стекла", 60. М. (1987)
- R.A. Street. Adv. Phys., 25, 397 (1976)
- В.А. Гриценко, П.А. Пандур. ФТТ, 28, 3239 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук