Влияние сильного СВЧ поля на вольт-амперную характеристику p-n-перехода с горячими носителями заряда
Гулямов Г.1, Умаров К.Б.1
1Наманганский индустриально-технологический институт,, Наманган, Узбекистан
Поступила в редакцию: 4 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.
Теоретически исследован процесс прохождения тока через p-n-переход с учетом рекомбинации носителей в области объемного заряда в сильном СВЧ поле. Получено выражение для вольт-амперной характеристики с учетом рекомбинации электронов и дырок на примесных центрах в области объемного заряда. Определена область напряжений, где рекомбинационный ток больше диффузионного тока горячих носителей. Установлено, что в сильном СВЧ поле рекомбинационный ток может преобладать над диффузионным даже при отрицательных напряжениях.
- А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, \bf 9, 216 (1975)
- Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, \bf 22, 2001 (1988)
- Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП. \bf 26, 1041 (1992)
- Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов. М. (1965)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук