Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование квантово-размерных гетероструктур методом спектроскопии селективного возбуждения люминесценции

Максимов М.В.¹, Иванов С.В.¹, Копьев П.С.¹, Леденцов Н.Н.¹, Мельцер Б.Я.¹, Табатадзе И.Г.¹, Степанов М.В.¹, Устинов В.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 сентября 1993 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовались спектры возбуждения люминесценции (СВЛ), снятые по контуру линии фотолюминесценции квантово-размерных GaAs-AlGaAs гетероструктур. Показано, что форма СВЛ при низких температурах наблюдения и малых плотностях возбуждения в существенной степени определяется эффектами локализации и транспорта неравновесных носителей и экситонов. Энергии наблюдаемых в СВЛ ''экситоноподобных'' пиков могут существенно отличаться от энергий экситонных пиков в спектрах поглощения. Учет подобных эффектов исключительно важен для адекватного анализа спектра электронных состояний квантово-размерных гетероструктур.

R.C. Miller, D.A. Kleinman. J. Luminesc., 30, 520 (1988)
S. Permogorov. Phys. St. Sol. (b), 68, 9 (1975)
C. Weisbuch. Sol. St. Election., 21, 179 (1978)
A. Chomette, B. Lambert, B. Clerjand, F. Clerot, H.W. Lui, A. Regreny. Semicond. Sci. Techn., \bf 3, 351 (1988)
K.J. Moore, G. Duggan, P. Dawson, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, \bf 39, 1219 (1989)
D.N. Mirlin, Kop'ev P.S., I.I. Reshina, V.F. Sapega, A.A. Sirenko. In: Proc. XX Int. Conf. on Phys. Semicond. Thessaloniki, Greece (August 6--10, 1990) (ed. by J.D. Jonnopoulos). Wold Scientific, Singapoure-New Jrsey-London-Hong-Kong, \bf 2, 1037 (1990)
N.N. Ledentsov, R. Notzel, Kop'ev P.S., Ploog. K. Appl. Phys. A, \bf 55, 533 (1992)
R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, W. Hohentein, Ploog. K. Phys. Rev. Lett., \bf 67, 3812 (1991)
R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, K. Ploog, W. Hohentein. Phys. Rev. B, \bf 45, 3507 (1992)
R. Notzel, N.N. Ledentsov, K. Ploog. Phys. Rev. B, \bf 47, 1299 (1993)
S.V. Ivanov, Kop'ev P.S., B.Ya. Meltser, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, A.M. Vasiliev. Phys. St. Sol. (a), \bf 118, 169 (1990)
R.C. Miller, D.A. Kleinmann, A.C. Gossrd. Phys. Rev. B, \bf 29, 7085 (1984)
U. Ekenberg, M. Altarelli. Phys. Rev. B, 30, 3569 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель