Вышедшие номера
Исследование квантово-размерных гетероструктур методом спектроскопии селективного возбуждения люминесценции
Максимов М.В.1, Иванов С.В.1, Копьев П.С.1, Леденцов Н.Н.1, Мельцер Б.Я.1, Табатадзе И.Г.1, Степанов М.В.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

Исследовались спектры возбуждения люминесценции (СВЛ), снятые по контуру линии фотолюминесценции квантово-размерных GaAs-AlGaAs гетероструктур. Показано, что форма СВЛ при низких температурах наблюдения и малых плотностях возбуждения в существенной степени определяется эффектами локализации и транспорта неравновесных носителей и экситонов. Энергии наблюдаемых в СВЛ ''экситоноподобных'' пиков могут существенно отличаться от энергий экситонных пиков в спектрах поглощения. Учет подобных эффектов исключительно важен для адекватного анализа спектра электронных состояний квантово-размерных гетероструктур.