Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Приготовление пленок Cd_xHg_1-xTe методом парофазной эпитаксии HgTe на подложках CdTe с последующей взаимной диффузией

Варавин В.С.¹, Сидоров Ю.Г.¹, Ремесник В.Г.¹, Чикичев С.И.¹, Нис И.Е.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 26 мая 1993 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выращены зеркально-гладкие пленки HgTe на подложках CdTe различных ориентаций с помощью методики осаждения HgTe из паровой фазы в градиенте температур. Скорости выращивания 5/12 мкм/ч. Последующий отжиг структур позволяет получить слои Hg_1-xCd_xTe толщиной около 15 мкм с x_CdTe=0.2/0.3 на поверхности и градиентом ширины запрещенной зоны 0.0025 эВ/мкм по глубине. После отжига концентрация носителей в образцах n-типа составляет (1/20)· 10¹⁵ см^-3 при подвижности (2/5)· 10⁴ см²/В· с, в образцах p-типа - концентрация (1/5)· 10¹⁶ см^-3 и подвижность 200/350 см²/В· с (77 K). На пленках n-типа с помощью диффузии мышьяка получены фотодиоды с R₀A=22 Ом· см² и длинноволновой границей на 9.5 мкм.

J. Piotrowsky, Z. Djuric, W. Galus, V. Lovic, M. Grudzien, Z. Dinovic, Z. Nowala. J. Cryst. Growth, \bf 83, 122 (1987)
P. Becla, J. Lagowsky, H.C. Gatos, H. Ruda. J. Electrochem. Soc., \bf 128, 1171 (1981)
Z. Djuric, J. Piotrowsky. Appl. Phys. Lett., \bf 51, 1699 (1987)
B. Lee, L.K. Nagel, M.F.S. Tang, D.A. Stewenson, J.H. Tregilglas, M.W. Goodwin, R.L. Strong. J. Vac. Sci. Techn., \bf A8, 1098 (1990)
В.А. Гнатюк, А.И. Власенко, Б.Л. Друзь, В.И. Лукьяненко, П.Е. Мозоль, А.В. Сукач. РАН. Неорг. матер., \bf 28, 2399 (1992)
C.L. Jones, M.J.T. Quelch, P. Capper, J.J. Gosney. J. Appl. Phys., \bf 53, 9080 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель