Спектры электролюминесценции варизонных структур Cd xHg 1- xTe/CdTe при T= 300 K
Болгов С.С.1, Варданян Б.Р.1, Малютенко В.К.1, Пипа В.И.1, Савченко А.П.1, Юнович А.Э.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина Московский государственный университет, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.
Теоретически и экспериментально исследованы спектры рекомбинационного излучения эпитаксиальных структур CdxHg1-xTe/CdTe, содержащих однородный узкозонный (твердый раствор x=0.23), широкозонный (CdTe) и варизонный переходный слои. Излучение возникает в условиях перераспределения носителей тока в гомозонном и варизонном слоях, обусловленного эффектами эксклюзии и аккумуляции при протекании через структуру сквозного тока. Сдвиг максимума спектра положительной люминесценции в пределах homega от 0.2 до 0.35 эВ с ростом тока объясняется аккумуляцией носителей в области варизонного переходного слоя. В спектре отрицательной люминесценции сдвиг максимума проявлялся в гораздо меньшей степени. Обсуждаются возможные практические применения полученных результатов.
- С.В. Белотелов, В.И. Иванов-Омский, А.И. Ижнин, В.А. Смирнов. ФТП, \bf 25, 1058 (1991)
- С.С. Болгов, В.К. Малютенко, В.И. Пипа, А.П. Савченко. Письма ЖЭТФ, \bf 15, 49 (1989)
- В.Г. Савицкий, Б.С. Соколовский. УФЖ, 25, 1919 (1980)
- S.S. Bolgov, V.K. Malyutenko, V.I. Pipa, A.P. Savchenko. Infr. Phys., \bf 33, 409 (1992)
- В.К. Малютенко, В.И. Пипа, Е.И. Яблоновский, Е.И. Колесников. ФТП, \bf 24, 866 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук