"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектры электролюминесценции варизонных структур Cd xHg 1- xTe/CdTe при T= 300 K
Болгов С.С.1, Варданян Б.Р.1, Малютенко В.К.1, Пипа В.И.1, Савченко А.П.1, Юнович А.Э.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина Московский государственный университет, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

Теоретически и экспериментально исследованы спектры рекомбинационного излучения эпитаксиальных структур CdxHg1-xTe/CdTe, содержащих однородный узкозонный (твердый раствор x=0.23), широкозонный (CdTe) и варизонный переходный слои. Излучение возникает в условиях перераспределения носителей тока в гомозонном и варизонном слоях, обусловленного эффектами эксклюзии и аккумуляции при протекании через структуру сквозного тока. Сдвиг максимума спектра положительной люминесценции в пределах homega от 0.2 до 0.35 эВ с ростом тока объясняется аккумуляцией носителей в области варизонного переходного слоя. В спектре отрицательной люминесценции сдвиг максимума проявлялся в гораздо меньшей степени. Обсуждаются возможные практические применения полученных результатов.
  1. С.В. Белотелов, В.И. Иванов-Омский, А.И. Ижнин, В.А. Смирнов. ФТП, \bf 25, 1058 (1991)
  2. С.С. Болгов, В.К. Малютенко, В.И. Пипа, А.П. Савченко. Письма ЖЭТФ, \bf 15, 49 (1989)
  3. В.Г. Савицкий, Б.С. Соколовский. УФЖ, 25, 1919 (1980)
  4. S.S. Bolgov, V.K. Malyutenko, V.I. Pipa, A.P. Savchenko. Infr. Phys., \bf 33, 409 (1992)
  5. В.К. Малютенко, В.И. Пипа, Е.И. Яблоновский, Е.И. Колесников. ФТП, \bf 24, 866 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.