Сообщается, что в эпитаксиальном n-слое Al_0.3Ga_0.7As, выращенном МОС-гидридным методом, обнаружен новый бистабильный дефект, несвязанный с DX-центром. Исследования производили C-V и DLTS-методами на AU-барьере Шоттки, с предварительным изохронным и изотермическим отжигом при двух условиях охлаждения - с приложенным напряжением обратного смещения U₀=0 и с U₀< 0. Стабильное состояние бистабильного дефекта с энергией термической активации E1=E_c-165 мэВ и сечением захвата электронов sigma_n=1.07· 10^-13 см^-2 наблюдается при условии изохронного отжига U₀=0. Этот уровень близок по параметрам к E1 уровню, который образуется при радиационном облучении Al_0.3Ga_0.7As и связывается с дефектом V _As. При изохронном отжиге с U₀< 0 наблюдается метастабильный уровень бистабильного дефекта с E2=E_c-208 мэВ и sigma_n=2.54· 10^-14 см². Исследования показывают, что кинетика трансформации дефекта E1-> E2, 1-го порядка и обусловлена двумя ловушками E2 и E2^* с различными темпами отжига. Сделано предположение, что этот дефект представляет собой комплекс, состоящий из вакансии мышьяка и примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.