"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Долговременные релаксации проводимости в нелегированном антимониде кадмия
Грицюк Б.Н.1, Сирота А.В.1, Халамейда Д.Д.1
1Институт радиофизики и электроники АН УССР, Харьков
Выставление онлайн: 19 ноября 1991 г.

Обнаружены долговременные релаксации (ДР) проводимости нелегированных монокристаллов CdSb, находящихся при гелиевой температуре в условиях стационарной "подсветки" фоновым тепловым излучением (температура излучателя 300 K). На участке релаксационного увеличения проводимости существует локальный минимум. Изменение проводимости во времени описывается экспоненциальным законом. Постоянная времени релаксационного процесса с течением времени изменяется. Авторы исследований СВЧ фотопроводимости и гальваномагнитных характеристик образцов указывают на возможную причину долговременных релаксаций в CdSb --- существование у центров рекомбинации либо "индивидуального", либо "коллективного" отталкивающего кулоновского барьера величиной 10/12 мэВ. Однако ни в одной из предложенных моделей не объяснены все особенности долговременных релаксаций в CdSb.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.