"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние атомарного водорода на время жизни неравновесных носителей заряда в антимониде индия
Летенко Д.Г.1, Молодцова Е.В.1, Пахомов А.В.1, Поляков А.Я.1, Попков А.Н.1, Федорцов А.Б1, Чуркин Ю.В.1
1Северо-Западный заочный политехнический институт, Санкт-Петербург
Выставление онлайн: 19 ноября 1991 г.

Влияние атомарного водорода на рекомбинационную активность дефектов в антимониде индия исследовано бесконтактным интерференционным методом измерения времени жизни неравновесных носителей заряда. Зарегистрирован существенный (восьмикратный) рост времени жизни в приповерхностных слоях гидрогенизированного n-InSb. Отмечена крайне высокая по сравнению с другими полупроводниками скорость диффузии водорода в InSb.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.