Влияние атомарного водорода на рекомбинационную активность дефектов в антимониде индия исследовано бесконтактным интерференционным методом измерения времени жизни неравновесных носителей заряда. Зарегистрирован существенный (восьмикратный) рост времени жизни в приповерхностных слоях гидрогенизированного n-InSb. Отмечена крайне высокая по сравнению с другими полупроводниками скорость диффузии водорода в InSb.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.