"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние переизлучения на время переключения длинного диода с варизонной базой
Пека Г.П.1, Россохатый В.К.1, Смоляр А.Н.1
1Киевский государственный университет им. Т.Г. Шевченко
Выставление онлайн: 19 ноября 1991 г.

Представлен расчет времени постоянства обратного тока (времени переключения tn) при переключении длинного варизонного диода из прямо смещенного состояния в обратно смещенное в условиях многократного самопоглощения собственного рекомбинационного излучения. Проанализированы зависимости времени переключения от величины и направления градиента ширины запрещенной зоны базовой области, внутреннего квантового выхода излучательной рекомбинации, оптических свойств базы и контактов. Показано, что в случае малых оптических потерь эффект переизлучения приводит к усилению зависимости времени переключения от градиента ширины запрещенной зоны и позволяет уменьшить tn при "тянущих" градиентах Eg. Выводы расчета подтверждены экспериментально измерением времени переключения варизонных и гомозонных n+-n-p-диодов из GaAs, AlxGa1-xAs при температурах в диапазоне 77-320 K, когда эффективность излучательной рекомбинации различна.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.