"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Природа объемного шума 1/f в GaAs и Si (о б з о р)
Дьяконова Н.В.1, Левинштейн М.Е.1, Румянцев С.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Санкт-Петербург
Выставление онлайн: 19 ноября 1991 г.

Показано, что в двух основных материалах современной полупроводниковой электроники --- кремнии и арсениде галлия объемный шум 1/f возникает вследствие флуктуаций заполнения уровней, образующих хвост плотности состояний вблизи края запрещенной зоны. Такие хвосты, обусловленные наличием несовершенств кристаллической решетки --- примесей, дефектов, локальных напряжений, существуют в любом реальном кристалле. Развита модель объемного шума 1/f в полупроводниках. Модель предсказывает существование нескольких новых физических эффектов: немонотонной зависимости низкочастотного шума от интенсивности подсветки, специфического механизма долговременной фотопроводимости, возрастания шума 1/f при ухудшении структурного совершенства материала при сохранении механизма формирования шума 1/f. Все эти эффекты обнаружены экспериментально. Установлено, что модель правильно описывает основные экспериментальные данные.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.