"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Темновые токи в p-n-переходах, созданных ионно-лучевым травлением на кристаллах CdxHg1-xTe
Баженов Н.Л.1, Гасанов С.И.1, Иванов-Омский В.И.1, Миронов К.Е.1, Мынбаев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Санкт-Петербург
Выставление онлайн: 19 ноября 1991 г.

Исследованы механизмы протекания тока в p-n-переходах, полученных методом ионнолучевого травления на объемных кристаллах CdxHg1-xTe (x~0.24). Анализ проведен на основе изучения вольт-амперных характеристик и удельного дифференциального сопротивления в диапазоне температур 60/200 K. Показано, что основными механизмами, определяющими токи в исследованных p-n-переходах при T>110 K, являются термоактивационные механизмы, а при 60<T<110 K --- межзонное туннелирование и туннелирование через локальные центры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.