Проведен анализ произведения R₀A в InAs p-n-переходах при T=300, 200, 77 K с уровнями легирования 10¹⁶-10¹⁸ см^-3. Выполнен расчет как для градиентного (линейного), так и для резкого распределения примесей. Учитывался вклад трех основных компонент объемного темнового тока: диффузионного, генерационно-рекомбинационного и туннельного. При T=300 K вклад диффузионного тока является определяющим (при n, p < 10¹⁷см^-3). С понижением температуры возрастает вклад генерационно-рекомбинационного тока и он становится основным. При 300, 200 К наиболее высокое значение R₀A в градиентных p-n-переходах дает использование слабо легированных кристаллов (n, p ~ 10¹⁶ см^-3) с малым градиентом. Максимальное значение R₀A достигается в резких асимметричных p-n-переходах с n =< 10¹⁷ см^-3. При 77 K практически достижимое значение R₀A определяется генерационно-рекомбинационным током. В InAs p-n-переходах с широкозонным окном InAsSbP получены значения R₀A при T=300, 200, 77 К соответственно 1, 10², 10⁵ Ом · см².

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.