Исследована фотолюминесценция аморфных сверхрешеток a-Si : H/a-SiN_x : H (x=0.3). Показано, что с уменьшением толщины слоя Si сдвигается вверх по энергии не только линия, обусловленная переходами между "хвостами" плотности состояний, но и линия, обусловленная переходами глубокий уровень-хвост валентной зоны. Это явление связывается с квантово-размерным эффектом. Примесь азота влияет на положение линий фотолюминесценции в случае толстых слоев a-Si : Н.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.