В статье излагаются результаты экспериментального исследования возможности создания полевого транзистора с p-n-переходом в качестве затвора на основе эпитаксиальных структур твердого раствора галлий-мышьяк-сурьма. Изготовленные транзисторы имели напряжение отсечки 3-8 В, крутизну 1.0-1.5 мА/В и абсолютную фоточувствительность до 800 А/Вт.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.