Вышедшие номера
Полевой транзистор с p-n-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs1-x-ySbxPy
Вуль А.Я.1, Вуль С.П.1, Сайдашев И.И.1, Петросян П.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, С.-Петербург
Выставление онлайн: 19 сентября 1991 г.

В статье излагаются результаты экспериментального исследования возможности создания полевого транзистора с p-n-переходом в качестве затвора на основе эпитаксиальных структур твердого раствора галлий-мышьяк-сурьма. Изготовленные транзисторы имели напряжение отсечки 3-8 В, крутизну 1.0-1.5 мА/В и абсолютную фоточувствительность до 800 А/Вт.