Для гетероструктур Si-Ge_xSi_1-x со средним атомным номером Z < 20 (легкая мишень), проведен расчет координатной зависимости сигнала отраженных электронов (ОЭ) при сканировании электронным зондом по сколу гетероструктуры. В расчете учтены координатное изменение плотности и среднего атомного номера эпитаксиального слоя, выход ОЭ с боковой поверхности эпитаксии, "прострел" эпитаксиального слоя отраженными электронами, "генерированными" в подложке. Использован нелокальный источник ОЭ. По данным расчета возможно получение профиля распределения Ge по толщине эпитаксиальных слоев как постоянного, так и переменного составов в широком диапазоне толщин (0.1-100 мкм). Предложенный подход экспериментально апробирован на гетероструктуpax Si-Ge_xSi_1-x (x < 0.2) как с постоянным, так и переменным по координате составами в широком диапазоне толщин эпитаксиальных слоев. Функция источника ОЭ аппроксимировалась гауссовским распределением, параметры которого определялись экспериментально. Получено хорошее согласие расчета с экспериментом. Данная модель профилирования может быть использована для измерения параметров других гетероструктур с Z < 20 (Si-SiO₂, Si-SiC и др.).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.