Методами спектроскопии поверхностной фотоэдс (ПФЭ), фотопроводимости (ФП) и фотолюминесценции (ФЛ) исследованы монокристаллы CdS, легированные Te, с концентрацией не выше 2· 10¹⁹ см^-3. Установлено, что при энергиях квантов 2.08-2.40 эВ в спектрах ПФЭ и ФП при 300 K наблюдаются области "гашения", которые энергетически и по форме коррелируют со спектральными зависимостями возбуждения интегральной ФЛ кристалла. В данной области энергий фотонов происходит генерация экситонов, связанных на дефектах, содержащих один или два атома теллура в положении ближайших соседей анионов в решетке CdS (Te₁ и Te₂). Экситоны рекомбинируют излучательно с возбуждением локальной фононной моды атомов теллура. При меньших энергиях квантов (1.90-2.08 эВ) в спектрах ФП и ПФЭ зарегистрирована фотоионизация электронов в зону проводимости с глубоких центров, обусловленных теми же примесными дефектами Te₁ и Te₂. В данном случае доминирует безызлучательный канал рекомбинации, который осуществляется за счет эффективной генерации фононов, связанных с решеткой CdS. Для описания совокупности полученных экспериментальных данных привлечена модель конфигурационно-координатных диаграмм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.