"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость рекомбинации через уровни комплексов в сильно легированном эпитаксиальном p-GaAs : Ge
Журавлев К.С.1, Терехов А.С.1, Шамирзаев Т.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 19 сентября 1991 г.

Изучена температурная зависимость положения максимума и интегральной интенсивности полосы фотолюминесценции C с homega =1.3 эВ в слоях сильно легированного эпитаксиального p-GaAs : Ge. Установлено, что при повышении температуры положение максимума полосы C сильно смещается в длинноволновую область спектра, а интенсивность полосы падает. Показано, что основным механизмом гашения полосы C является безызлучательная рекомбинация через соответствующий центр. Экспериментальные зависимости описаны в модели конфигурационных диаграмм с излучательным переходом центр-валентная зона. В рамках этой модели определены энергии активации тушения полосы C, связанные с выбросом электронов в зону проводимости (Eb=19 мэВ) и с безызлучательной рекомбинацией (Ea=69 мэВ), а также энергия эффективной колебательной моды центра (homega=0.94 мэВ).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.