Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств легированных азотом пленок a-Si : H, полученных методом ВЧ разложения смеси силана и аммиака. Исследовано влияние легирования азотом на спектральные и температурные зависимости фотопроводимости a-Si : H. Установлено, что при легировании азотом (введением 2 об% NH₃ в газовую фазу) фотопроводимость a-Si : Н не уменьшается, а стабильность материала возрастает. Анализируется природа метастабильных состояний в материале. Предполагается, что это - состояния типа D^-, являющиеся центрами рекомбинации для неравновесных носителей заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.