"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства a-Si : H, легированного азотом
Айвазов А.А.1, Будагян Б.Г.1, Становов О.Н.1
1Московский институт электронной техники
Выставление онлайн: 19 сентября 1991 г.

Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств легированных азотом пленок a-Si : H, полученных методом ВЧ разложения смеси силана и аммиака. Исследовано влияние легирования азотом на спектральные и температурные зависимости фотопроводимости a-Si : H. Установлено, что при легировании азотом (введением 2 об% NH3 в газовую фазу) фотопроводимость a-Si : Н не уменьшается, а стабильность материала возрастает. Анализируется природа метастабильных состояний в материале. Предполагается, что это - состояния типа D-, являющиеся центрами рекомбинации для неравновесных носителей заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.