"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптимальные параметры ЭС твердого раствора GaAs1-xPx для изготовления датчиков давления
Юрова Е.С.1, Картавых А.В.1
1Государственный научно-исследовательский и проектный институт радиометаллической промышленности, Москва
Выставление онлайн: 19 сентября 1991 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.