"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов-расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода
Воробьева В.В.1, Зушинская О.В.1, Лебедев В.Б.1, Туан Ле1, Новиков С.В.1, Полянская Т.А.1, Савельев И.Г.1, Шмарцев Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, С.-Петербург
Выставление онлайн: 19 сентября 1991 г.

Исследовано влияние величины потока водорода через кристаллизационную систему в процессе ЖФЭ на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных как из галлиевого, так и из висмутового растворов-расплавов. Установлено, что при увеличении потока водорода концентрация свободных электронов уменьшается при выращивании из галлия и возрастает при выращивании из висмута, а подвижность носителей возрастает при выращивании из галлия и убывает при выращивании из висмута. Проведен анализ экспериментальных значений подвижности электронов при 77 и 300 K с учетом рассеяния как на ионизованных примесях, так и на различных микронеоднородностях (так называемых "убийцах подвижности"). Полученные зависимости концентрации доноров и акцепторов в эпитаксиальных слоях от потока водорода объясняются очисткой жидкой фазы от фоновых примесей (серы и углерода) в случае роста из галлиевых растворов-расплавов и увеличением количества вакансий в подрешетке мышьяка, т. е. мест для выстраивания примесей в случае роста из висмутовых растворов-расплавов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.