"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Расчет параметров экситона в напряженных КЯ структурах на основе InxGa1-xAs/GaAs
Авруцкий И.А.1, Сычугов В.А.1, Усиевич Б.А.1
1Институт общей физики АН СССР, Москва
Выставление онлайн: 19 сентября 1991 г.

Получены аналитические выражения, позволяющие легко рассчитывать энергию связи экситона в квантовой яме (КЯ). Рассчитаны энергия связи экситона и спектральное положение экситонного пика для напряженных КЯ структур на основе InxGa1-xAs/GaAs в диапазоне ширин ямы 5-100 Angstrem и x до 0.5. Определены в зависимости от длины волны, соответствующей экситонному пику, оптимальные параметры КЯ, обеспечивающие максимальную энергию связи экситона.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.