"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм формирования стационарных обратных вольт-амперных характеристик МДП структур с переносом заряда
Грехов И.В.1, Шулекин А.Ф.1, Векслер М.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

Предлагается модель, позволяющая с единых позиций объяснить вид обратных вольт-амперных характеристик МДП структур с переносом заряда, изготовленных на кремнии n- и p-типа в широком диапазоне толщин диэлектрика. Ключевым моментом является учет эффекта оже-ионизации, производимой в полупроводнике инжектируемыми из металла горячими носителями. При обратном смещении в МДП структуре именно этот механизм компенсирует утечку неосновных носителей, а значит, обеспечивает поддержание высокого напряжения на диэлектрике. Приводятся экспериментальные данные, подтверждающие предлагаемую модель.
  1. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. \it Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., Изд. ЛГУ, 1988)
  2. М.И. Векслер, И.В. Грехов, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 18, 1 (1993)
  3. I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Sol. St. Commun., 87, 341 (1993)
  4. D.J. Di Maria, T.N. Theis, J.R. Kirtley, F.S. Pesavento, D.V. Dong, S.D. Brorson. J. Appl. Phys., 57, 1214 (1985)
  5. S.K. Lai, P.V. Dressendorfer, T.P. Ma, R.C. Barker. Appl. Phys. Lett., 38, 41 (1981)
  6. W.E. Drummond, J.L. Moll. J. Appl. Phys., 42, 5556 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.