Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизм формирования стационарных обратных вольт-амперных характеристик МДП структур с переносом заряда
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 31 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.
Предлагается модель, позволяющая с единых позиций объяснить вид обратных вольт-амперных характеристик МДП структур с переносом заряда, изготовленных на кремнии n- и p-типа в широком диапазоне толщин диэлектрика. Ключевым моментом является учет эффекта оже-ионизации, производимой в полупроводнике инжектируемыми из металла горячими носителями. При обратном смещении в МДП структуре именно этот механизм компенсирует утечку неосновных носителей, а значит, обеспечивает поддержание высокого напряжения на диэлектрике. Приводятся экспериментальные данные, подтверждающие предлагаемую модель.
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. \it Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., Изд. ЛГУ, 1988)
- М.И. Векслер, И.В. Грехов, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 18, 1 (1993)
- I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Sol. St. Commun., 87, 341 (1993)
- D.J. Di Maria, T.N. Theis, J.R. Kirtley, F.S. Pesavento, D.V. Dong, S.D. Brorson. J. Appl. Phys., 57, 1214 (1985)
- S.K. Lai, P.V. Dressendorfer, T.P. Ma, R.C. Barker. Appl. Phys. Lett., 38, 41 (1981)
- W.E. Drummond, J.L. Moll. J. Appl. Phys., 42, 5556 (1971)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
