"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Трансформация системы дефектов по толщине пластины CdTe при диффузионном легировании галлием
Бабенцов В.Н.1, Власенко А.И.1, Тарбаев Н.И.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 9 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

По толщине пластин CdTe исследовано распределение интенсивности линий низкотемпературной (4.2 K) фотолюминесценции экситонов, связанных на донорах и акцепторах, а также полос донорно-акцепторной излучательной рекомбинации после кратковременного отжига пластин в расплаве Ga, в вакуумированной ампуле или в парах Cd. Установлено, что картина преобразования дефектов по толщине неоднородна и определяется наличием трех областей, в которых преобладают следующие процессы: I - диффузия донорной примеси GaCd путем замещения остаточной примеси I группы ( LiCd), доминировавшей в обарзцах; II - обратная диффузия на поверхность части Li, исходно входившей в состав ( LiCd-LiCd)-комплексов; III - однородная термическая диссоциация таких комплексов или включений Te.
  1. В.Н. Бабенцов, Л.В. Рашковецкий, Е.А. Сальков, Н.И. Тарбаев. ФТП, 26, 1088 (1992)
  2. E.Molva, N. Magnea. Phys. St. Sol. (\it b), 102, 475 (1980)
  3. В.Н. Бабенцов, С.И. Горбань, Л.В. Рашковецкий, Е.А. Сальков. Опт. и спектр. 68, 1397 (1990)
  4. E. Molva, J.P. Chamonal, J.L. Pautrat. Phys. St. Sol. (\it b), 109, 635 (1982)
  5. J.M. Franou, K. Saminadayar, J.L. Pautrat, J.P. Gaillard, A.Million, C. Fontain. J. Cryst. Growth, 72, 220 (1985)
  6. E. Molva, K. Saminadayar, J.L. Pautrat, E.Ligeon. Sol. St. Commun., 48, 955 (1983)
  7. Н.Б. Агринская, В.В. Шашкова. ФТП, 22, 1248 (1988)
  8. В.Н. Бабенцов, Г.В. Бекетов, С.Н. Горбань. ФТП, 27, 504 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.