"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование кинетики термостимулированной релаксации объемного заряда в окисле SiO 2 структур металл--окисел--полупроводник, облученных gamma-квантами 60Co
Баринов Ю.В.1, Безбородов В.Н.1, Емельянов В.В.1, Першенков В.С.1
1Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

С помощью термостимулированного отжига объемного заряда исследованы свойства электронных ловушек в подзатворном окисле SiO2 структур металл-окисел-полупроводник, облученных gamma-квантами 60Co в диапазоне температур (174-391) K. Установлено, что заряд электронных ловушек может существенно компенсировать влияние заряда захваченных дырок. Получено распределение плотности электронных ловушек по энергии активации.
  1. \it Ionizing Radiation effects in MOS Devices and Circuits, ed. by T.P.Ma, P.V.Dressendorfer (J. Welley and Sons, N.Y., 1989)
  2. D.M. Fleetvood, M.R. Shaneylelt, L.C. Riewe, P.S. Winokur, R.A. Reber. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-40, N 6 (1993)
  3. A.J. Lelis, T.R Oldhame, H.E. Boesch, F.B. McLean IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-36, 1808 (1989)
  4. V. Danchenko, P.H. Fang, S.S. Brashears. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-28, 4407 (1981)
  5. I. Petr. Phys. St. Sol. (a), 93, 711 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.