"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование вакансионных дефектов в монокристаллическом кремнии, облученном при 77 K
Абдуллин Х.А.1, Мукашев Б.Н.1
1Физико-технический институт Академии наук Казахстана,, Алматы, Казахстан
Поступила в редакцию: 9 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

Методом нестационарной емкостной спектроскопии голубоких уровней исследованы образцы монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости, облученные протонами (30 МэВ) и alpha-частицами (4 МэВ) при 77 K. Облучение проводилось как при нулевом смещении на образце, так и с приложенным напряжением. В n-Si, выращенном методом Чохральского, наряду с известными центрами обнаружены дефекты E1 и E2 с энергиями Ec-0.22 эВ и Ec-0.25 эВ. Эти дефекты наблюдаются только при облучении под смещением. Отжиг дефектов E2 вызывает рост концентрации A-центров (V-O). В образцах, выращенных зонной плавкой, наблюдались электронные уровни EA1 (Ec-0.15 эВ) и EA2 (Ec-0.29 эВ) с равными концентрациями. Оба уровня отжигаются одновременно с энергией активации отжига Ea=0.28 эВ. В n-Si<Ge> обнаружены аналогичные уровни EG1 и EG2 с энергиями Ec-0.22 эВ и Ec-0.4 эВ. Свойства дефектов типа EA и EG позволяют идентифицировать их как двухзарядные акцепторы. Полученные результаты говорят о том, что дефекты E1, E2, EA и EG имеют вакансионную природу. В качестве модели предлагается вакансия, стабилизированная примесью кислорода (E2), углерода (EA) или германия (EG). В p-Si<Ge> наблюдались уровни H5, по электрическим свойствам близкие к дефектам типа V(++/+), однако особенности кинетики отжига позволили отнести центры H5 к дефектам типа V-Ge. При отжиге наблюдается переход центров H5 в новый центр H6. Определены параметры процессов отжига центров.
  1. G.D. Watkins. Inst. Phys. Conf., Ser. 23, 1 (1975)
  2. G.D. Watkins. Inst. Phys. Conf., Ser. 46, 16 (1979)
  3. G.D. Watkins, J.R. Troxell. Phys. Rev. Lett., 44, 593 (1980)
  4. L.C. Kimerling, P. Blood, W.M. Gibson. Inst. Phys. Conf., Ser. 46, 273 (1979)
  5. G. Bemski, G. Feher, E. Gere. Bull. Am. Phys. Soc., Ser. II, 3, 135 (1958)
  6. G.D. Watkins, J.M. Corbett. Phys. Rev., 134, A1359 (1964)
  7. G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 13, 2511 (1976)
  8. G.D. Watkins. Phys. Rev., 155, 802 (1967)
  9. А.В. Двуреченский, А.А. Каранович, Б.П. Кашников. ФТП, 21, 50 (1987)
  10. Е.В. Чихрай, Х.А. Абдуллин. ФТП, 25, 751 (1991)
  11. Х.А. Абдуллин, Б.Н. Мукашев. ФТП, 28, 1831 (1994)
  12. B. Bech-Nielsen. \it Dissertation (University of Aarhus, 1987)
  13. G. Grossman, K. Bergman, M. Kleverman. Physica B, 146, 30 (1987)
  14. A. Brelot, J. Charlemagne. Rad. Eff. Semicond., 8, 161 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.