Методом нестационарной емкостной спектроскопии голубоких уровней исследованы образцы монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости, облученные протонами (30 МэВ) и alpha-частицами (4 МэВ) при 77 K. Облучение проводилось как при нулевом смещении на образце, так и с приложенным напряжением. В n-Si, выращенном методом Чохральского, наряду с известными центрами обнаружены дефекты E1 и E2 с энергиями E_c-0.22 эВ и E_c-0.25 эВ. Эти дефекты наблюдаются только при облучении под смещением. Отжиг дефектов E2 вызывает рост концентрации A-центров (V-O). В образцах, выращенных зонной плавкой, наблюдались электронные уровни EA1 (E_c-0.15 эВ) и EA2 (E_c-0.29 эВ) с равными концентрациями. Оба уровня отжигаются одновременно с энергией активации отжига E_a=0.28 эВ. В n-Si<Ge> обнаружены аналогичные уровни EG1 и EG2 с энергиями E_c-0.22 эВ и E_c-0.4 эВ. Свойства дефектов типа EA и EG позволяют идентифицировать их как двухзарядные акцепторы. Полученные результаты говорят о том, что дефекты E1, E2, EA и EG имеют вакансионную природу. В качестве модели предлагается вакансия, стабилизированная примесью кислорода (E2), углерода (EA) или германия (EG). В p-Si<Ge> наблюдались уровни H5, по электрическим свойствам близкие к дефектам типа V(++/+), однако особенности кинетики отжига позволили отнести центры H5 к дефектам типа V-Ge. При отжиге наблюдается переход центров H5 в новый центр H6. Определены параметры процессов отжига центров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.