"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптическое управление переключением и механизм запирания p-n-i-n+-структуры импульсом напряжения положительной полярности
Калантарова З.С.1
1Институт микроэлектроники Российской академии наук,, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 10 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

Рассмотрено поведение люминесцентного p-n-i-n+-динистора на основе AlAs-GaAs с i-базой с глубокими уровнями Cr в условиях, когда приложено положительное смещение, равное примерно половине порогового, и ток открытого состояния значительно возрастает. Показано, что в таких условиях система может переходить в закрытое состояние, связанное с перезарядкой примесных уровней, которая приводит не только к остановке продвижения фронта области с заполненными ловушками по направлению к катоду, но и к сужению низкоомной области.
  1. А.А. Лебедев, В.И. Стафеев, В.М. Тучкевич. ЖТФ. 26, 2131 (1956)
  2. А.И. Баранников, В.В. Осипов. ФТП, 5, 836 (1971)
  3. Ю.Р. Носов. Оптоэлектроника (М., Радио и связь, 1989)
  4. D. Meyerhofer, A.S. Keizer, H. Nelson. J. Appl. Phys., 38, 111 (1967)
  5. М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  6. Р.Ф. Казаринов, В.И. Стафеев, Р.А. Сурис. ФТП. 1, 1293 (1967)
  7. Р.Ф. Казаринов, В.И. Стафеев, Р.А. Сурис. ФТП, 1, 1301 (1967)
  8. Б.М. Гарин, В.И. Стафеев, ФТП, 6, 78 (1972)
  9. В.А. Бородовой, Г.П. Пека, А.П. Смоляр, ФТП, 9, 1867 (1975)
  10. Р.Ф. Казаринов, Н.И. Лукичева, Э.М. Омельяновский, Л.Я. Первова, Р.А. Сурис. ФТП, 4, 1677 (1970)
  11. В.В. Осипов, В.А. Холоднов. ФТП, 5, 1387 (1971)
  12. А.Б. Алмазов, Е.В. Куликова, В.И. Стафеев. ФТП, 7, 319 (1973)
  13. З.С. Калантарова, В.Ф. Коваленко, Б.И. Сушко. А.C. N 1274121 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.