Рассмотрено поведение люминесцентного p-n-i-n⁺-динистора на основе AlAs-GaAs с i-базой с глубокими уровнями Cr в условиях, когда приложено положительное смещение, равное примерно половине порогового, и ток открытого состояния значительно возрастает. Показано, что в таких условиях система может переходить в закрытое состояние, связанное с перезарядкой примесных уровней, которая приводит не только к остановке продвижения фронта области с заполненными ловушками по направлению к катоду, но и к сужению низкоомной области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.