Оптическое управление переключением и механизм запирания p-n-i-n+-структуры импульсом напряжения положительной полярности
Калантарова З.С.1
1Институт микроэлектроники Российской академии наук,, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 10 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.
Рассмотрено поведение люминесцентного p-n-i-n+-динистора на основе AlAs-GaAs с i-базой с глубокими уровнями Cr в условиях, когда приложено положительное смещение, равное примерно половине порогового, и ток открытого состояния значительно возрастает. Показано, что в таких условиях система может переходить в закрытое состояние, связанное с перезарядкой примесных уровней, которая приводит не только к остановке продвижения фронта области с заполненными ловушками по направлению к катоду, но и к сужению низкоомной области.
- А.А. Лебедев, В.И. Стафеев, В.М. Тучкевич. ЖТФ. 26, 2131 (1956)
- А.И. Баранников, В.В. Осипов. ФТП, 5, 836 (1971)
- Ю.Р. Носов. Оптоэлектроника (М., Радио и связь, 1989)
- D. Meyerhofer, A.S. Keizer, H. Nelson. J. Appl. Phys., 38, 111 (1967)
- М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- Р.Ф. Казаринов, В.И. Стафеев, Р.А. Сурис. ФТП. 1, 1293 (1967)
- Р.Ф. Казаринов, В.И. Стафеев, Р.А. Сурис. ФТП, 1, 1301 (1967)
- Б.М. Гарин, В.И. Стафеев, ФТП, 6, 78 (1972)
- В.А. Бородовой, Г.П. Пека, А.П. Смоляр, ФТП, 9, 1867 (1975)
- Р.Ф. Казаринов, Н.И. Лукичева, Э.М. Омельяновский, Л.Я. Первова, Р.А. Сурис. ФТП, 4, 1677 (1970)
- В.В. Осипов, В.А. Холоднов. ФТП, 5, 1387 (1971)
- А.Б. Алмазов, Е.В. Куликова, В.И. Стафеев. ФТП, 7, 319 (1973)
- З.С. Калантарова, В.Ф. Коваленко, Б.И. Сушко. А.C. N 1274121 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук