Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние gamma-облучения на электрические параметры тонких пленок SmS

Каминский В.В.¹, Васильев Л.Н.¹, Горнушкина Е.Д.¹, Соловьев С.М.¹, Сосова Г.А.¹, Володин Н.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 7 июля 1994 г.

Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалось влияние gamma-облучения источника ⁶⁰Co мощностью экспозиционной дозы 6· 10⁵ Р/ч в интервале доз D=10⁶/ 1.6· 10⁸ Р на электрические параметры поликристаллических полупроводниковых пленок моносульфида самария. Обнаруженная высокая радиационная стабильность удельного поверхностного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления может являться следствием специфики электронной структуры данного соединения и вместе с тем коррелирует с некоторыми свойствами пленок, характерными для радиационно-стойких полупроводников, такими как термическая прочность, мелкодисперсность, наличие значительного числа стехиометрических вакансий.

В.В. Каминский, И.А. Смирнов. Приборы и системы упр., вып. 8, 22 (1985)
И.А. Смирнов, В.С. Оскотский. УФН, 124, 241 (1987)
А.А. Виноградов, В.В. Каминский, Н.М. Володин, М.В. Романова, В.С. Румянцев. \it Тез. докл. V Всес. конф. по физике и химии редкоземельных полупроводников (Саратов, 1990) ч. 2, с. 86
В.В. Каминский, Н.М. Володин, Т.Б. Жукова, М.В. Романова, Г.А. Сосова. ФТТ. 33, 187 (1991)
В.И. Евдокимов, А.Д. Очеретянский, Е.Б. Котляревская, Н.Б. Резникова. Приборы и системы упр., вып. 12, 13 (1990)
В.В. Каминский, А.А. Виноградов, Н.М. Володин, М.В. Романова, Г.А. Сосова. ФТТ, 31, 153 (1989)
В.Т. Маслюк. Неорг. матер., 28, 2388 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель