Экспериментально установлен амфотерный характер легирующего действия примеси Bi в эпитаксиальных пленках PbSe, связанный с различным положением примесных атомов в кристаллической решетке соединения. Наблюдалось перераспределение атомов Bi между подрешетками PbSe в зависимости от содержания компонентов (Pb и Se) в составе пара. Полученные экспериментальные зависимости свидетельствуют о том, что висмут в узлах Pb является однократно ионизованным донором и трехратно ионизованным акцептором в узлах Se. Показано, что легирование амфотерной примесью Bi является эффективным методом изучения картины дефектообразования в PbSe. Увеличение количества Se в паре приводит к образованию вакансий в катионной подрешетке. Избыток Pb первоначально размещается в междоузлиях. Образование вакансий в подрешетке Se наблюдалось лишь при избытках Pb порядка (1-2)· 10¹⁹ см^-3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.