Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Получение методом сублимации легированных пленок поликристаллического кремния
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 4 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.
Исследована эффективность легирования в процессе роста пленок поликремния, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения. Примесный состав и однородность пленок поликремния, легированных бором, алюминием, галлием, мышьяком и сурьмой, определялись по данным вторичной ионной масс-спектроскопии. Холловские измерения концентрации электрически активной примеси показывают, что зависимость эффективности легирования от температуры осаждения носит немонотонный характер.
- Ф.Л. Эдельман. \it Структура компонентов БИС (Новосибирск, Наука, 1980)
- В.М. Колешко, А.А. Ковалевский. \it Поликристаллические пленки полупроводников в микроэлектронике (Минск, Наука, 1978)
- М.И. Овсянников, В.Г. Шенгуров, В.Н. Шабанов, М.Л. Шильникова. Электрон. тех., сер. 6, Материалы, вып. 9, 34 (1983)
- В.П. Кузнецов, А.Ю. Анрдреев, Н.А. Алябина. Электронная промышленность, N 9, 57 (1990)
- N.K. Annamalai. Thin Sol. Films, 155, 97 (1987)
- Г.В. Гордеева, С.С. Горелик, Г.А. Зеликман и др. Микроэлектроника и полупроводниковые приборы, вып. 6, 166 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
