"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Получение методом сублимации легированных пленок поликристаллического кремния
Павлов Д.А.1, Шенгуров В.Г.1, Шенгуров Д.В.1, Хохлов А.Ф.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 4 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

Исследована эффективность легирования в процессе роста пленок поликремния, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения. Примесный состав и однородность пленок поликремния, легированных бором, алюминием, галлием, мышьяком и сурьмой, определялись по данным вторичной ионной масс-спектроскопии. Холловские измерения концентрации электрически активной примеси показывают, что зависимость эффективности легирования от температуры осаждения носит немонотонный характер.
  1. Ф.Л. Эдельман. \it Структура компонентов БИС (Новосибирск, Наука, 1980)
  2. В.М. Колешко, А.А. Ковалевский. \it Поликристаллические пленки полупроводников в микроэлектронике (Минск, Наука, 1978)
  3. М.И. Овсянников, В.Г. Шенгуров, В.Н. Шабанов, М.Л. Шильникова. Электрон. тех., сер. 6, Материалы, вып. 9, 34 (1983)
  4. В.П. Кузнецов, А.Ю. Анрдреев, Н.А. Алябина. Электронная промышленность, N 9, 57 (1990)
  5. N.K. Annamalai. Thin Sol. Films, 155, 97 (1987)
  6. Г.В. Гордеева, С.С. Горелик, Г.А. Зеликман и др. Микроэлектроника и полупроводниковые приборы, вып. 6, 166 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.