Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 11 » Статья стр. 1525
<<<>>>
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии AIIIBV нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)
DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45104.18
Резник Р.Р.1,2,3,4, Котляр К.П.1, Штром И.В.1,3,5, Сошников И.П.1,3,5, Кукушкин С.А.6, Осипов А.В.6, Цырлин Г.Э.1,2,3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: moment92@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
PDF версия
Впервые продемонстрирована принципиальная возможность роста AIIIBV соединений на примере GaAs, AlGaAs и InAs нитевидных нанокристаллов на кремниевой подложке с нанометровым буферным слоем карбида кремния. Диаметр нитевидных нанокристаллов такого же состава оказался меньше, чем у подобных нанокристаллов, выращенных на кремниевой подложке. В частности, для InAs нитевидных нанокристаллов минимальный диаметр оказался менее 10 нм. Помимо этого, основываясь на спектре фотолюминесценции, было предположено, что, в случае роста AlGaAs нитевидных нанокристаллов на таких подложках, возникает сложная структура, благодаря самоорганизованному образованию в нитевидных нанокристаллах областей разного состава по алюминию. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45104.18
  1. K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguch. J. Appl. Phys., 77, 447 (1995)
  2. K. Hiruma, M. Yazawa, K. Haraguchi, K. Ogawa, T. Katsuyama, M. Koguchi, H. Kakibayashi. J. Appl. Phys., 74, 3162 (1993)
  3. G. Zheng, W. Lu, S. Jin, C.M. Lieber. Adv. Mater., 16, 1890 (2004)
  4. A.B. Greytak, L.J. Lauhon, M.S. Gudiksen, C.M. Lieber. Appl. Phys. Lett., 84, 4176 (2004)
  5. G.E. Cirlin, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, Yu.B. Samsonenko, V.G. Dubrovskii, E.M. Arakcheeva, E.M. Tanklevskaya, P. Werner. Nanoscale Res. Lett., 2, 360 (2010)
  6. M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, T. Sass, A.I. Persson, C. Thelander, M.H. Magnusson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 80, 1058 (2002)
  7. Y. Cui, C.M. Lieber. Science, 291, 851 (2001)
  8. S. Gradecak, F. Quin, Y. Li, H.-G. Park, C.M. Lieber. Appl. Phys. Lett., 87, 173111 (2005)
  9. E. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang, C.M. Lieber. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 101, 14017 (2004)
  10. R.S. Friedman, M.C. Mc Alpine, D.S. Ricketts, D. Ham, C.M. Lieber. Nature, 434, 1085 (2005)
  11. Y. Huang, C.M. Lieber. Pure Appl. Chem., 76, 2051 (2004)
  12. D. Whang, S. Jin, C.M. Lieber. Jpn. J. Appl. Phys., 43, 4465 (2004)
  13. В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 12, 1585 (2009)
  14. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Status Solidi RRL, 4, 112 (2009)
  15. L.C. Chuang, M. Moewe, C. Chase, N.P. Kobayashi, C. Chang-Hasnain. Appl. Phys. Lett., 90, 043115 (2007)
  16. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ, 50, 1188 (2008)
  17. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 56, 1457 (2014)
  18. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 313001 (2014)
  19. В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43, 1585 (2009)
  20. Г.Э. Цырлин, И.В. Штром, Р.Р. Резник, Ю.Б. Самсоненко, А.И. Хребтов, А.Д. Буравлев, И.П. Сошников. ФТП, 11, 1441 (2016)
  21. V.G. Dubrovskii, I.V. Shtrom, R.R. Reznik, Yu.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S. Rouvimov, N. Akopian, T. Kasama, G.E. Cirlin. Cryst. Growth Design, 16, 7251 (2016)
  22. L. Pavesi, M. Guui. J. Appl. Phys., 10, 4779 (1994)
  23. M. Heiss, Y. Fontana, A. Gustafsson, G. Wust, C. Magen, D.D. O'Regan, J.W. Luo, B. Ketterer, S. Conesa-Boj, A.V. Kuhlmann, J. Houel, E. Russo-Averchi1, J.R. Morante, M. Cantoni, N. Marzari, J. Arbiol, A. Zunger, R.J. Warburton, d A. Fontcuberta i Morral. Nature Materials, 5, 439 (2013)
  24. D. Rudolph, S. Funk, M. Doblinger, S. Morkotter, S. Hertenberger, L. Schweickert, J. Becker, S. Matich, M. Bichler, D. Spirkoska, I. Zardo, J.J. Finley, G. Abstreiter, G. Koblmuller. Nano Lett., 13, 1522 (2013)
  25. N. Jeon, B. Loitsch, S. Morkoetter, G. Abstreiter, J. Finley, H.J. Krenner, G. Koblmueller, L.J. Lauhon. ACS Nano, 8, 8335 (2015).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme