Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
Проведен расчет протекания носителей заряда в структуре биполярного транзистора на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в его рабочей области одиночного кластера радиационных дефектов. Показано, что место зарождения кластера радиационных дефектов существенным образом влияет на степень деградации коэффициента усиления биполярного транзистора. Получена вероятностная оценка радиационно-индуцированного прокола базы в зависимости от ее толщины и флюенса нейтронов. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45103.17
- Г.Н. Кинчин, Р.С. Пиз. УФН, 60, 590 (1956)
- Дж. Слэтер. УФН, 47 (1), 51 (1952)
- К. Ларк-Горовиц. УФН, 50 (1), 51 (1953)
- Дж.В. Глен. УФН, 60 (3), 445 (1956)
- L.J. Cheng, J. Lori. Phys. Rev., 171, 856 (1968)
- В.С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники (М., Физматгиз, 1963)
- O.L. Curtis. J. Appl. Phys., 39 (7), 3109 (1968)
- Г.В. Горшков, В.А. Зябкин, Н.М. Лятковская, О.С. Цветков. Естественный нейтронный фон атмосферы и земной коры (М., Атомиздат, 1966)
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 49 (1), 71 (2015)
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 50 (12), 1706 (2016)
- Электронный ресурс: http://www.srim.org/
- B.R. Gossick. J. Appl. Phys., 30 (8), 1214 (1959)
- V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B: Condens. Matter, 212 (4), 429 (1995)
- И.Ю. Забавичев, А.А. Потехин. Вестн. ННГУ: Физика твердого тела, 1 (2), 64 (2014)
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. Тез. докл. 19-й Всеросс. науч.-техн. конф. "Радиационная стойкость электронных систем" (М., НИЯУ МИФИ, 2016) с. 71
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (Нижний Новгород, ННГУ, 2016) с. 89
- Е.А. Ладыгин и др. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники (М., Сов. радио, 1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
