Вышедшие номера
Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой
Акимов А.Н. 1, Климов А.Э.1,2, Пащин Н.С.1, Ярошевич А.С.1, Савченко М.Л.1, Эпов В.С.1, Федосенко Е.В. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: klimov@isp.nsc.ru, fedos@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Исследованы пленки PbSnTe:In с длинноволновой границей чувствительности свыше 20 мкм и низкой проводимостью без освещения. Проведено сравнение спектральных зависимостей фотопроводимости, полученных при различных температурах с использованием фурье-спектрометра, с составом пленок, определенным методом рентгеновского микроанализа. Обнаружена немонотонная зависимость длинноволнового края фоточувствительности от температуры, которая объясняется комбинацией температурной зависимости ширины запрещенной зоны PbSnTe и эффекта Бурштейна-Мосса, дающего наибольший вклад в измерения при низких температурах из-за большого времени жизни неравновесных носителей заряда. Показано, что различия в значениях ширины запрещенной зоны, определяемых из измеренного состава и температурных зависимостей длинноволнового края чувствительности, могут быть связаны с неоднородностью состава пленок, получаемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45114.29
  1. J.O. Dimmock, I. Melngailis, A.J. Strauss. Phys. Rev. Lett., 16, 1193 (1966)
  2. W.W. Anderson. IEEE J. Quant. Electron., QE- 13, 532 (1977)
  3. А.Э. Климов, В.Н. Шумский. В кн.: Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона, Новосибирск, Наука, 2001) гл. 6, с. 308
  4. Б.А. Акимов, Л.И. Рябова, О.Б. Яценко, С.М. Чудинов. ФТП, 13, 752 (1979)
  5. S. Takaoka, T. Itoga, K. Murase. Jpn. J. Appl. Phys., 23, 216 (1984)
  6. А.Н. Акимов, Д.В. Ищенко, А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, И.С. Пащин, В.Н. Шерстякова, В.Н. Шумский. Микроэлектроника, 42, 83 (2013)
  7. А.Н. Акимов, А.Э. Климов, С.В. Морозов, С.П. Супрун, В.С. Эпов, И.В. Иконников, М.А. Фадеев, В.В. Румянцев. ФТП, 50, 1713 (2016)
  8. Г.А. Калюжная, К.В. Киселева. Тр. ФИАН, 177, 5 (1987)
  9. A.E. Klimov, D.V. Krivopalov, I.G. Neizvestnyi, V.N. Shumsky, N.I. Petikov, M.A. Torlin, E.V. Fedosenko. Appl. Surf. Sci., 78, 413 (1994)
  10. M.A. Rafea, F.S. Terra, M. Mounir, R. Labusch. Chalc. Lett., 6, 115 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.