Вышедшие номера
Низкотемпературная диффузия кадмия в p-CdTe: анализ профилей люминесценции и рентгеновского характеристического излучения
Бабенцов В.Н.1, Клецкий С.В.1, Тарбаев Н.И.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.

Проведено комплексное исследование диффузии кадмия в p-CdTe при низкотемпературном отжиге (600oC) в парах кадмия. Профиль распределения концентрации кадмия измерялся по интенсивности рентгеновского характеристического излучения. Профиль распределения мелких донорных центров, образованных при диффузии кадмия в результате реакции Cdvap+CuCd-> Cui+ CdCd, регистрировался по интенсивности линии экситона, связанного на доноре. Определены численные значения коэффициентов диффузии кадмия в электрически неактивном состоянии D=2.6· 10-7 см2/с и донорном состоянии 1.26· 10-9 см2/с. Показано, что различные методы исследования регистрируют распространение кадмия по разным механизмам.