Низкотемпературная диффузия кадмия в p-CdTe: анализ профилей люминесценции и рентгеновского характеристического излучения
Бабенцов В.Н.1, Клецкий С.В.1, Тарбаев Н.И.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.
Проведено комплексное исследование диффузии кадмия в p-CdTe при низкотемпературном отжиге (600oC) в парах кадмия. Профиль распределения концентрации кадмия измерялся по интенсивности рентгеновского характеристического излучения. Профиль распределения мелких донорных центров, образованных при диффузии кадмия в результате реакции Cdvap+CuCd-> Cui+ CdCd, регистрировался по интенсивности линии экситона, связанного на доноре. Определены численные значения коэффициентов диффузии кадмия в электрически неактивном состоянии D=2.6· 10-7 см2/с и донорном состоянии 1.26· 10-9 см2/с. Показано, что различные методы исследования регистрируют распространение кадмия по разным механизмам.
- K. Zanio. \it Semiconductors and semimetals. Cadmium telluride (Academic Press, 1978) v. 13, p. 235
- M. Caillot. Rev. de Phys. Appl., 12, 241 (1977)
- S. Seto, A. Tanaka, Y. Masa, S. Dairaku, M. Kawashima. Appl. Phys. Lett., \bf 53, 1524 (1988)
- Н.В. Агринская, В.В. Шашкова. ФТП, 22, 1248 (1988)
- В.Н. Бабенцов, Л.В. Рашковецкий, Е.А. Сальков, Н.И. Тарбаев. ФТП, \bf 26, 1088 (1992)
- E. Molva, J.R. Chamonal, J.L. Pautrat. Phys. St. Sol., \bf 109, 635 (1982)
- W.J. Kim, M.J. Park, S.U. Kim, T.S. Lee, J.M. Kim, W.J. Song, S.H. Suh. J. Cryst. Growth, \bf 104, 677 (1990)
- E.D. Jones, N.M. Stewart. J. Cryst. Growth, 84, 289 (1987)
- S.S. Chern, F.A. Kroger. Sol. St. Chem., 14, 44 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук