"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкотемпературная диффузия кадмия в p-CdTe: анализ профилей люминесценции и рентгеновского характеристического излучения
Бабенцов В.Н.1, Клецкий С.В.1, Тарбаев Н.И.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.

Проведено комплексное исследование диффузии кадмия в p-CdTe при низкотемпературном отжиге (600oC) в парах кадмия. Профиль распределения концентрации кадмия измерялся по интенсивности рентгеновского характеристического излучения. Профиль распределения мелких донорных центров, образованных при диффузии кадмия в результате реакции Cdvap+CuCd-> Cui+ CdCd, регистрировался по интенсивности линии экситона, связанного на доноре. Определены численные значения коэффициентов диффузии кадмия в электрически неактивном состоянии D=2.6· 10-7 см2/с и донорном состоянии 1.26· 10-9 см2/с. Показано, что различные методы исследования регистрируют распространение кадмия по разным механизмам.
  1. K. Zanio. \it Semiconductors and semimetals. Cadmium telluride (Academic Press, 1978) v. 13, p. 235
  2. M. Caillot. Rev. de Phys. Appl., 12, 241 (1977)
  3. S. Seto, A. Tanaka, Y. Masa, S. Dairaku, M. Kawashima. Appl. Phys. Lett., \bf 53, 1524 (1988)
  4. Н.В. Агринская, В.В. Шашкова. ФТП, 22, 1248 (1988)
  5. В.Н. Бабенцов, Л.В. Рашковецкий, Е.А. Сальков, Н.И. Тарбаев. ФТП, \bf 26, 1088 (1992)
  6. E. Molva, J.R. Chamonal, J.L. Pautrat. Phys. St. Sol., \bf 109, 635 (1982)
  7. W.J. Kim, M.J. Park, S.U. Kim, T.S. Lee, J.M. Kim, W.J. Song, S.H. Suh. J. Cryst. Growth, \bf 104, 677 (1990)
  8. E.D. Jones, N.M. Stewart. J. Cryst. Growth, 84, 289 (1987)
  9. S.S. Chern, F.A. Kroger. Sol. St. Chem., 14, 44 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.