Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние неоднородного распределения оптически активных центров на спектры поглощения
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 23 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.
Сделана оценка влияния неоднородного по площади распределения оптических активных центров на амплитуду и форму полосы поглощения. Показано, что при перераспределении концентрации оптически активных центров и, в частности, при отсутствии их в незначительной части образца возрастает его кажущаяся прозрачность и форма полосы становится более плоской. Это может привести к заметным ошибкам в оценке концентрации оптически активных центров.
- W. Kaiser, P. Keck, L.F. Lange, Phys. Rev., \bf 101, 1264 (1956)
- W. Kaiser, R. Keck. J. Appl. Phys., 28, 882 (1957)
- В.Р. Реньян. \it Технология полупроводникового кремния (М., Металлургия, 1969)
- В.В. Батавин. \it Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев (М., Сов. радио, 1976)
- Р.Ф. Витман, А.А. Лебедев. ФТП, 12, 2069 (1978)
- M.S. Brand, H.D. Fuchs, M. Stutzmann, J. Weber, M. Cardona. Sol. St. Commun., \bf 81, 307 (1991)
- Р.Ф. Витман, Л.М. Капитонова, А.А, Лебедев, А.Н. Старухин, Б.С. Разбирин. Письма ЖТФ, \bf 19, 10 (1993)
- Б.Б. Логинов, В.П. Гайденко. Журн. прикл. спектроскопии, \bf 31, 126 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
